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매직 사이즈드 메탈 포스파이드 나노크리스탈

  • 기술번호 : KST2018011180
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비배위성 용매, III족 양이온의 전구체, 제1리간드 및 제2리간드에 배위된 백린(white phosphorus)을 혼합하여 열분해 반응에 의해 나노크리스탈을 합성하는 나노크리스탈 합성단계 및 합성된 상기 나노크리스탈을 침전시키는 침전단계를 포함하는 메탈 포스파이드 나노크리스탈의 제조방법에 관한 것으로, 입자크기가 1.5 내지 2nm이고, 430 내지 550nm의 파장의 발광영역(emission range)을 갖는 매직 사이즈드(magic-sized) 메탈 포스파이드 나노크리스탈, MxPy(x,y는 10 내지 100 사이의 정수)의 구조식을 가지며, 발광스펙트럼의 반값전폭(FWHM)이 100nm 이하이고, 적어도 코어에서 30%의 포토루미네선스(photoluminescence) 양자 수율을 가진 메탈 포스파이드 나노크리스탈을 제공할 수 있다.
Int. CL C01B 25/08 (2006.01.01) C01G 9/00 (2006.01.01) B82Y 20/00 (2017.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180090688 (2018.08.03)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0091787 (2018.08.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2016-0110522 (2016.08.30)
관련 출원번호 1020160110522
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손재성 울산광역시 울주군
2 박종남 울산광역시 울주군
3 반형우 울산광역시 울주군
4 최용훈 울산광역시 울주군
5 조진희 울산광역시 울주군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 태웅 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *동***호(양재동,양재역환승주차장)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2018.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0768984-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입자크기가 1
2 2
입자크기가 1
3 3
제2항에 있어서,상기 메탈 포스파이드 클러스터는 메탈(metal) 원자와 포스포러스(phosphorus) 원자가 일정 비율로 결합되어 있는 입자로서, 구조식 MxPy(x,y는 10 내지 100 사이의 정수)으로 표현되며, 상기 x, y가 상기 범위 내의 특정 정수일 때 안정한 구조를 가지는 나노크리스탈
4 4
제2항에 있어서,상기 메탈 포스파이드 클러스터가 특정 원자 수로 이루어져 상기 나노크리스탈이 균일한 입자 크기 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 나노크리스탈
5 5
제2항에 있어서,상기 나노크리스탈은 밴드 갭 에너지(band gap energy, Eg)가 2
6 6
제2항에 있어서,상기 나노크리스탈은 상기 메탈 포스파이드 클러스터 코어의 표면에 ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, GaAs, GaN, GaP, GaSb, GaS, GaSe, GaTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, InAs, InN, InP, InSb, InS, InSe, InTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, AlAs, AlN, AlP, AlSb, MgO, MgS, MgSe, MgTe, CdZnS, CdZnSe, CdSSe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, GaAsP, GaTeSe, GaLnSe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, InGaAs, InAsP, InSeTe, BaO, BaS, BaSe, BaTe 및 ZnSSe 로 구성되는 군에서 선택되는 쉘 층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노크리스탈
7 7
제2항에 있어서,상기 나노크리스탈은 발광스펙트럼의 반값전폭(FWHM)이 100nm 이하이고, 적어도 코어에서 30%의 포토루미네선스(photoluminescence) 양자 수율을 갖는 것을 특징으로 하는 나노크리스탈
8 8
복수의 매직 사이즈드 클러스터를 포함하는 조성물로서,입자크기가 1
9 9
제8항에 있어서,상기 나노크리스탈 조성물은 상기 입자크기 범위 내에서 2 이상의 특정 크기를 갖는 메탈 포스파이드 클러스터들을 포함하여 불연속적인 입자크기 분포를 갖는 것을 특징으로 하는 나노크리스탈 조성물
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