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폴리(비닐리덴플루오라이드-코-트리플로오르에틸렌(P(VDF-TrFE)), 아자이드기(-N3)를 포함하는 광가교제 및 용매를 포함하는 혼합용액을 준비하는 단계;기판 상에 상기 혼합 용액을 코팅하는 단계;상기 기판 상에 적층된 혼합 용액에 광가교반응을 진행시킨 뒤 열처리 후 냉각하여 베타결정상의 P(VDF-TrFE)을 포함하는 강유전체층을 형성하는 단계;상기 강유전체층 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 P(VDF-TrFE)는 상기 아자이드기(-N3)를 갖는 광가교제로 가교된 것이고,상기 P(VDF-TrFE) 100mg/ml에 대하여 상기 아자이드기(-N3)를 포함하는 광가교제가 15 내지 20 mg/ml로 혼합되고,상기 아자이드기(-N3)를 포함하는 광가교제는 비스-퍼플루오르벤조아자이드(bis-perfluorobenzoazide (Bis-FB-N3)), 3-하이드록시페닐아자이드(3-hydroxyphenylazide), 4-플루오르-3-니트로페닐아자이드(4-Fluoro-3-nitrophenylazide), 4-다이메틸아미노카보닐페닐아자이드(4-[(dimethylamino)carbonyl]phenyl azide), 4-아지도-2,3,5,6-테트라플루오로벤조산(4-Azido-2,3,5,6-tetrafluorobenzoic acid), p-아지도펜아실브로마이드(p-Azidophenacyl bromide), N-석신이미딜 4-아지도살리시레이트(N-Succinimidyl 4-Azidosalicylate), N-하이드록시석신이미딜-4-아지도벤조에이트(N-Hydroxysuccinimidyl-4-azidobenzoate) 및 술포석신이미딜 6-4'-아지도-2'-니트로페닐아미노헥사노에트(Sulphosuccinimidyl 6-(4'-azido-2'-nitrophenylamino)hexanoate)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 광가교제의 함량의 조절에 따라 스위칭 구동 혹은 메모리 구동을 보이는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광가교 반응은 100 내지 700nm 범위의 파장에서 UV를 1초 내지 1시간 동안 조사하는 것을 포함하는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광가교반응이 진행된 혼합 용액을 열처리하는 공정은 70 내지 150℃의 온도 범위 내에서 수행되는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 광가교반응이 진행된 혼합 용액을 열처리하는 공정은 1분 내지 10시간 동안 수행되는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 반도체층은 안트라센, 테트라센, 펜타센, 멜로시아닌, 구리프탈로시아닌, 페리렌, 루브렌(rubrene), 코로넨(coronene), 안트라디티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리디아세틸렌, 폴리피롤, 폴리티오텐, 올리고티오펜, 폴리셀레노펜(polyselenophene), 폴리이소티아나프텐(polyisothianaphthene), 폴리아릴렌비닐렌, 폴리아닐린, 폴리아줄렌, 폴리피렌, 폴리카바졸, 폴리퓨란, 폴리인돌, 폴리피리다진, 폴리아센, 폴리티에닐티아졸, 폴리(p-페닐렌비닐린)(poly(p-phenylenevinylene)), 폴리(p-페닐렌)(poly(p-phenylene)), 폴리플루오렌(polyfluorene), 폴리(9,9-디옥틀리플루오렌)(poly(9,9-dioctlyfluorene)) 및 폴리알킬티오펜(polyalkylthiophene) 으로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 게이트 전극이고,상기 게이트 전극에 인가되는 전압의 조절에 따라 스위칭 구동 또는 메모리 구동을 보이는 다기능성 트랜지스터 소자의 제조 방법
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기판 상에 형성된 강유전체층;상기 강유전체층 상에 형성된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 형성된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하며,상기 강유전체층은 비닐리덴 플루오라이드(VDF)로부터 유도된 반복단위; 및 트리풀루오로에틸렌(TrFE)로부터 유도된 반복단위;를 포함하는 베타결정상의 폴리(비닐리덴플루오라이드-코-트리플로오르에틸렌(P(VDF-TrFE))를 포함하고, 상기 (P(VDF-TrFE))는 아자이드기(-N3)를 갖는 광가교제로 가교된 것이고,상기 P(VDF-TrFE) 100mg/ml에 대하여 상기 아자이드기(-N3)를 포함하는 광가교제가 15 내지 20 mg/ml로 혼합된 것이고,상기 아자이드기(-N3)를 포함하는 광가교제는 비스-퍼플루오르벤조아자이드(bis-perfluorobenzoazide (Bis-FB-N3)), 3-하이드록시페닐아자이드(3-hydroxyphenylazide), 4-플루오르-3-니트로페닐아자이드(4-Fluoro-3-nitrophenylazide), 4-다이메틸아미노카보닐페닐아자이드(4-[(dimethylamino)carbonyl]phenyl azide), 4-아지도-2,3,5,6-테트라플루오로벤조산(4-Azido-2,3,5,6-tetrafluorobenzoic acid), p-아지도펜아실브로마이드(p-Azidophenacyl bromide), N-석신이미딜 4-아지도살리시레이트(N-Succinimidyl 4-Azidosalicylate), N-하이드록시석신이미딜-4-아지도벤조에이트(N-Hydroxysuccinimidyl-4-azidobenzoate) 및 술포석신이미딜 6-4'-아지도-2'-니트로페닐아미노헥사노에트(Sulphosuccinimidyl 6-(4'-azido-2'-nitrophenylamino)hexanoate)로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상을 포함하고,상기 광가교제의 함량의 조절에 따라 스위칭 구동 혹은 메모리 구동을 보이는 다기능성 트랜지스터 소자
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제10항에 있어서,상기 강유전체층은 10nm 내지 10μm 의 두께를 갖는 다기능성 트랜지스터 소자
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제10항에 있어서,상기 기판은 게이트 전극이고,상기 게이트 전극에 인가되는 전압의 조절에 따라 스위칭 구동 또는 메모리 구동을 보이는 다기능성 트랜지스터 소자
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제12항에 있어서,상기 게이트 전극에 인가되는 전압이 임계전압 미만인 경우에는 스위칭 구동을 보이고, 임계전압을 초과하는 경우에는 문턱전압을 변화시켜 메모리 구동을 보이는 다기능성 트랜지스터 소자
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