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코어층과 상기 코어층 외곽에 위치하는 쉘층을 포함하고,상기 코어층 및 상기 쉘층 중 적어도 하나가 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되고,상기 코어층은 III-V족 화합물을 포함하는 양자점
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제1항에서,상기 III-V족 화합물은 GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlN, AlP, AlAs, AlSb, InN, InP, InAs, InSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, AlNP, AlNAs, AlNSb, AlPAs, AlPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, GaAlNP, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 양자점
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제1항에서,상기 코어층은 II-VI족 화합물을 더 포함하고,상기 코어층은 상기 III-V족 화합물과 상기 II-VI족 화합물의 합금을 포함하는 양자점
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제3항에서,상기 II-VI족 화합물은 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnO, HgS, HgSe, HgTe, MgSe, MgS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 이원소 화합물; CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, MgZnSe, MgZnS 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 삼원소 화합물; 및 HgZnTeS, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 사원소 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 양자점
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제1항에서,상기 쉘층은 상기 코어층과 인접한 제1 부분과 상기 코어층으로부터 상기 제1 부분보다 멀리 떨어진 제2 부분을 포함하고,상기 쉘층의 제2 부분이 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 양자점
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제1항에서,상기 쉘층은 상기 코어층과 인접한 제1 부분과 상기 코어층으로부터 상기 제1 부분보다 멀리 떨어진 제2 부분을 포함하고,상기 코어층과 상기 쉘층의 제1 부분이 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 양자점
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제1항에서,상기 코어층은 In 및 P를 포함하고, 상기 쉘층은 Zn, Se 및 S 중에서 적어도 하나를 포함하며, 상기 코어층 및 상기 쉘층 중 적어도 하나는 알루미늄으로 도핑되는 양자점
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기판,상기 기판 위에 위치하는 제1 색변환층 및 제2 색변환층,상기 제1 색변환층과 상기 제2 색변환층을 덮는 평탄화막, 그리고상기 평탄화막 위에 위치하는 편광층을 포함하고,상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 각각은 복수의 반도체 나노 입자를 포함하고,상기 복수의 반도체 나노 입자 각각은, 코어층과 상기 코어층 외곽에 위치하는 쉘층을 포함하며,상기 코어층 및 상기 쉘층 중 적어도 하나가 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 색변환 패널
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제8항에서,상기 코어층은 III-V족 화합물을 포함하는 색변환 패널
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제9항에서,상기 코어층은 II-VI족 화합물을 더 포함하고,상기 코어층은 상기 III-V족 화합물과 상기 II-VI족 화합물의 합금을 포함하는 색변환 패널
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제8항에서, 상기 평탄화막과 상기 색변환층 사이에 위치하는 광필터층을 더 포함하고, 상기 광필터층은 복수의 층을 포함하고, 상기 복수의 층은 굴절률이 서로 다른 층들이 적어도 2 이상 교대 배열된 구조를 갖는 색변환 패널
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제8항에서,상기 편광층은 금속 물질을 포함하는 편광 패턴 및 상기 편광 패턴을 덮는 절연막을 포함하는 색변환 패널
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제8항에서,상기 제1 색변환층과 상기 제2 색변환층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하는 색변환 패널
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제8항에서,상기 쉘층은 상기 코어층과 인접한 제1 부분과 상기 코어층으로부터 상기 제1 부분보다 멀리 떨어진 제2 부분을 포함하고,상기 쉘층의 제2 부분이 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 색변환 패널
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제8항에서,상기 쉘층은 상기 코어층과 인접한 제1 부분과 상기 코어층으로부터 상기 제1 부분보다 멀리 떨어진 제2 부분을 포함하고,상기 코어층과 상기 쉘층의 제1 부분이 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 색변환 패널
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표시 패널,상기 표시 패널과 중첩하는 색변환 패널, 그리고상기 표시 패널과 상기 색변환 패널 사이에 위치하고, 액정 물질을 포함하는 액정층을 포함하고,상기 색변환 패널은기판,상기 기판과 상기 액정층 사이에 위치하는 제1 색변환층 및 제2 색변환층,상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층과 상기 액정층 사이에 위치하는 평탄화막,상기 평탄화막과 상기 액정층 사이에 위치하는 편광층, 그리고상기 편광층과 상기 액정층 사이에 위치하는 전극을 포함하고,상기 제1 색변환층 및 상기 제2 색변환층 각각은 복수의 반도체 나노 입자를 포함하고,상기 복수의 반도체 나노 입자 각각은, 코어층과 상기 코어층 외곽에 위치하는 쉘층을 포함하며,상기 코어층 및 상기 쉘층 중 적어도 하나가 알루미늄, 실리콘, 티타늄, 마그네슘 및 아연 중 적어도 하나로 도핑되는 표시 장치
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제16항에서,상기 편광층은 금속 물질을 포함하는 편광 패턴 및 상기 편광 패턴을 덮는 절연막을 포함하는 표시 장치
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제16항에서,상기 색변환 패널은 상기 제1 색변환층과 상기 제2 색변환층 사이에 위치하는 차광 부재를 더 포함하는 표시 장치
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제18항에서,상기 기판에서부터 상기 평탄화막을 향하는 방향을 따라 상기 차광 부재의 단면적은 점점 커지는 표시 장치
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제16항에서,상기 코어층은 III-V족 화합물 또는 상기 III-V족 화합물과 II-VI족 화합물의 합금을 포함하는 표시 장치
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