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액정 상 및 결함 구조를 이용한 마이크로 또는 나노 크기 패턴을 형성하는 방법

  • 기술번호 : KST2014047050
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정(liquid crystal)의 다양한 상(phase) 또는 결함(defect) 구조를 이용하여 마이크로 또는 나노 크기 패턴을 형성하는 방법 및 이러한 방법으로 제조된 마이크로렌즈 어레이(microlens arrays)에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 자기조립 가능 액정의 상 또는 결함을 규칙적인 구조로 형성시키고, 액정 배향에 따른 굴절률 변화 또는 표면 구조를 이용하여 광학 또는 연성 리소그래피를 위한 마스크로 활용할 수 있는 패턴 형성 방법 및 마이크로렌즈 어레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른, 액정분자의 상 또는 결함 구조를 이용한 패턴 형성 방법, 마이크로렌즈 어레이의 제조방법 및 연성 리소그래피 패턴 형성 방법은, 액정의 높은 유동성(mobility) 때문에 기존의 방식에 비하여 매우 빠르게 패턴을 형성하는 것이 가능하며, 제작공정이 간단하고 비용이 절감되는 장점이 있다. 한번 만들어진 액정 패턴은 반영구적으로 사용할 수 있다. 또한, 액정의 상 또는 결함을 외부 전기장 또는 자기장이나 액정분자층의 높이 등으로 간단하게 조절할 수 있기 때문에, 새로운 형태의 패턴으로 손쉽게 변화, 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한, 직접적인 관찰이 매우 어려운 액정의 내부구조 및 배향에 대한 정보를 전사시킴으로써, 그 내부구조 해석에 대한 새로운 기법을 제시할 수 있다.
Int. CL G02F 1/1335 (2006.01) G02F 1/13 (2006.01)
CPC G02F 1/133516(2013.01) G02F 1/133516(2013.01) G02F 1/133516(2013.01)
출원번호/일자 1020100097903 (2010.10.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1188434-0000 (2012.09.27)
공개번호/일자 10-2012-0036178 (2012.04.17) 문서열기
공고번호/일자 (20121008) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120040812;
심사청구여부/일자 Y (2010.10.07)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정희태 대한민국 대전광역시 유성구
2 김윤호 대한민국 강원도 춘천시
3 정현수 대한민국 강원도 삼척시
4 윤동기 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0649052-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090978-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0059106-55
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0259080-45
6 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0310840-70
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0310797-04
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0310796-58
9 등록결정서
Decision to grant
2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0562745-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다음의 단계를 포함하는 마이크로 또는 나노 크기 패턴을 형성하는 방법:(a) 기판 상에 액정분자층을 형성하는 단계;(b) 상기 액정분자층에 액정분자의 상(phase) 구조에 따른 규칙적인 구조를 형성하는 단계; 및(c) 상기 액정분자의 규칙적인 구조를 포토마스크(photomask)로 이용하여 포토레지스트(photoresist)에 마이크로 또는 나노 크기 패턴을 형성하는 단계
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (a) 단계 이전에, 기판 상에 액정분자의 배향을 조절하기 위한 표면처리를 하는 단계를 추가로 포함하는 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 표면처리는 이미드 계열 고분자, 친수성 고분자 또는 소수성 고분자를 기판에 코팅하고 한쪽 방향으로 문지르는 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 표면처리는 폴리이미드(polyimide), 폴리아마이드(polyamide), 나일론(nylon), 폴리비닐알콜(polyvinyl alcohol), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine), 친수성 또는 소수성 자기조립 단분자막 (self-assembled monolayer; SAM) 또는 테프론(Teflon)을 기판에 코팅하거나, 공기 또는 물에 기판을 노출하고, 한쪽 방향으로 문지르는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 액정 상변이온도 이상으로 올린 후에 서냉하는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 액정분자를 형성하는 액정성 분자체들의 농도를 조절하여 액정의 상을 결정하는 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 외부 전기장 또는 자기장을 인가하여 상기 규칙적인 구조를 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 액정 상변이온도 이상으로 올린 후에 외부 전기장이 인가된 상태에서 서냉하는 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서, 상기 전기장의 크기는 0
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 액정분자의 상(phase)은 네마틱(nematic), 스멕틱(smectic), 콜레스테릭(cholesteric), 컬럼나(columnar), 페로엘렉트릭(ferroelectric), 헬리컬(helical), 마이셀(micelle), 큐빅(cubic) 또는 라멜라(lamellar) 액정 상인 것을 특징으로 하는 방법
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 액정분자의 상은 콜레스테릭 액정 상인 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계의 규칙적인 구조는 액정 상이 가지는 주기(pitch)에 의한 선형 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 선형 패턴은 액정분자의 배향에 따른 굴절률의 변화로 빛을 응집시키는 부분과 빛이 굴절되지 않고 투과되는 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법
14 14
다음의 단계를 포함하는 마이크로렌즈 어레이(microlens arrays)의 제조방법:(a) 기판을 표면처리 하는 단계;(b) 상기 표면처리된 기판 상에 액정분자층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 액정분자층에 외부 전기장 또는 자기장이 인가된 상태에서 액정 상 구조에 따른 규칙적인 구조를 형성하는 단계
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 상기 액정분자층의 액정 상변이온도 이상으로 가열한 후 서냉하는 것을 특징으로 하는 방법
16 16
제 14 항에 있어서, 상기 (c) 단계는 액정분자를 형성하는 액정성 분자체들의 농도를 조절하여 액정의 상을 결정하는 것을 특징으로 하는 방법
17 17
제 14 항에 있어서, 상기 액정 상은 콜레스테릭 액정 상인 것을 특징으로 하는 방법
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 규칙적인 구조는 액정분자의 배향에 따른 굴절률의 변화로 빛을 응집시키는 부분과 빛이 굴절되지 않고 투과되는 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법
19 19
제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항의 방법에 의하여 제조되고, 액정분자의 배향에 따른 굴절률의 변화로 빛을 응집시키는 부분과 빛이 굴절되지 않고 투과되는 부분을 포함하는 규칙적인 구조를 가지는 마이크로렌즈 어레이
20 20
제 19 항에 있어서, 상기 마이크로렌즈 어레이는 마이크로 또는 나노 크기의 패턴을 가지는 것을 특징으로 하는 규칙적인 구조를 가지는 마이크로렌즈 어레이
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