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메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2018012077
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체 층 상에 형성된 제1 게이트 및 제1 게이트와 소정거리로 이격 되어 있으며, 반도체 층 상에 형성된 제2 게이트를 포함하며, 제1 게이트와 상기 제2 게이트의 형태 및 게이트 길이는 상이하도록 한 비대칭 구조(asymmetric structure)의 메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터를 제공한다.또한, 제2 게이트를 기준으로 제1 게이트와 대칭을 이루며 반도체 층 상에 형성된 제3 게이트를 더 포함하며, 제3게이트는 상기 제1 게이트와 형태 및 게이트 길이가 동일하도록 한 균형 잡힌 구조(balanced structure)의 메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터를 제공한다.이러한, 메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터에 의하여, 차단주파수를 종래보다 더 높여, 더 높은 영역의 테라헤르츠 주파수에서 커패시턴스 스위칭이 가능할 수 있다.
Int. CL H01L 29/93 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/423 (2006.01.01)
CPC H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01) H01L 29/93(2013.01)
출원번호/일자 1020170022568 (2017.02.20)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0096199 (2018.08.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.02.20)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장재형 대한민국 광주광역시 북구
2 황지현 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인지원 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, ***호(가산동, 에이스테크노타워**차)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0175825-99
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2018.01.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2018.03.09 수리 (Accepted) 9-1-2018-0008976-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0255303-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0442298-57
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0442297-12
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0738070-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1199356-07
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1199355-51
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2018.12.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0188964-58
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0890441-78
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번호 청구항
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성장 기판 상에 반도체 층을 형성하는 단계;상기 형성된 반도체 층 상에 제1 게이트를 형성하는 단계; 상기 반도체 층의 표면에 유전체를 증착하는 단계;상기 증착된 유전체를 식각하는 단계; 및상기 제1 게이트와 이격 되고, 상기 제1 게이트를 기준으로 서로 대칭 되도록 상기 유전체가 식각된 반도체 층 상에 제2 게이트 및 제3 게이트를 형성하는 단계; 를 포함하며,상기 제1 게이트의 하단의 양측부에 증착된 유전체는 식각되지 않고,상기 제2 게이트 및 제3 게이트는 상기 제1 게이트와 형태 및 게이트 길이가 상이한,메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터의 제조방법
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제14항에 있어서, 상기 제3 게이트는 상기 제2 게이트와 형태 및 게이트 길이가 동일한,메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제1 게이트는 나노-스케일의 게이트 길이를 갖는 T자 형태의 게이트이고,상기 제2 게이트는 마이크론-스케일의 게이트 길이를 갖는 직사각형 형태의 게이트인, 메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 제2 게이트 및 제3 게이트를 형성하는 단계는, 자기 정렬(Self-Aligned) 공정에 의하여 상기 제2 게이트 및 제3 게이트를 형성하는 단계를 포함하는,메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 반도체 층을 형성하는 단계는,소정의 물질을 성장시켜 전자 구름 층을 형성하는 단계; 및메사 에칭(mesa-etching) 공법으로 상기 전자 구름 층의 양단부를 소정의 길이만큼 식각 하는 단계;를 포함하는,메탈-반도체-메탈 이차원 전자 가스 버랙터의 제조방법
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1 US10700667 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018241377 US 미국 DOCDBFAMILY
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