맞춤기술찾기

이전대상기술

금속 산화물이 도핑된 그래핀의 제조 방법 및 이를 이용한 전계효과 트랜지스터의 채널층

  • 기술번호 : KST2018014198
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 산화물이 도핑된 그래핀의 제조 방법 및 이를 이용한 전계효과 트랜지스터의 채널층을 개시한다. 본 발명의 실시예에 따른 금속 산화물이 도핑된 그래핀의 제조 방법은 제1 기판 상에 그래핀을 증착하는 단계; 상기 증착된 그래핀을 제2 기판 상에 전사하여 그래핀 일전극(work electrode)을 형성하는 단계; 전해질이 담긴 반응조 내에 상기 그래핀 일전극, 상대 전극(counter electrode) 및 기준 전극(reference electrode)을 설치하는 단계; 및 상기 그래핀 일전극에 금속 산화물을 전기화학증착(Electochemical deposition)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL C25D 9/04 (2006.01.01) H01L 29/16 (2006.01.01) C01B 32/182 (2017.01.01)
CPC C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01) C25D 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1020170047908 (2017.04.13)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0115508 (2018.10.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울특별시 성동구
2 박창수 대한민국 서울특별시 은평구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0361400-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 기판 상에 그래핀을 증착하는 단계;상기 증착된 그래핀을 제2 기판 상에 전사하여 그래핀 일전극(work electrode)을 형성하는 단계;전해질이 담긴 반응조 내에 상기 그래핀 일전극, 상대 전극(counter electrode) 및 기준 전극(reference electrode)을 설치하는 단계; 및상기 그래핀 일전극에 금속 산화물을 전기화학증착(Electochemical deposition)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물이 도핑된 그래핀의 제조 방법
2 2
제1항에 따른 금속 산화물이 도핑된 그래핀의 제조 방법으로 제조된 금속 산화물이 도핑된 그래핀을 채널층으로 포함하는 것을 특징으로 하는 전계효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 (재)한국연구재단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 중견연구(총연구비1.5억초과~3억이하) 저차원 나노융합구조의 에너지변조와 기능제어 연구