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그래핀 층을 갖는 기판을 준비하는 단계;상기 그래핀 층 상에 유기 링커(organic linker)를 제공하여, 유기 링커 층을 형성하는 단계; 및상기 유기 링커 층 상에 금속을 포함하는 도펀트(dopant) 물질을 제공하여, 도펀트 층(dopant layer)을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 유기 링커 층 및 상기 도펀트 층은 인-시츄(in-situ) 진공 공정으로 형성되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 층은, 상기 유기 링커 층에 의해 기능화되어, 상기 도펀트 층이 상기 그래핀 층 상에 콘포말하게(conformally) 형성되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 유기 링커는, 티올기(thiol group) 및 하이드록실기(hydroxyl group)를 갖는 방향족 원소(aromatic element)인 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 유기 링커는, 4MP(4-mercaptophenol) 인 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 유기 링커의 티올기가 포함하는 황(S) 및 하이드록실기가 포함하는 산소(O)는, 상기 도펀트 층이 포함하는 상기 금속과 결합하는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 기판은, 상기 그래핀 층이 제공된 제1 부분, 및 상기 그래핀 층이 제공되지 않은 제2 부분을 포함하고, 상기 그래핀 층 상에 상기 유기 링커를 제공하는 단계는,상기 그래핀 층 및 상기 제2 부분 상에 상기 유기 링커 층이 형성되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제2 부분 상에 제공된 상기 유기 링커 층은, 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD) 에 의해 상기 유기 링커 층 상에 상기 도펀트 물질을 제공하기 전, 퍼지 공정(purge process)에 의해 제거되고, 상기 그래핀 층 상의 상기 유기 링커 층은 잔존되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속을 포함하는 도펀트 물질은, 아연 금속을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 도펀트 층을 형성하는 단계는, 상기 도펀트 층의 두께를 옹스트롱(angstrom)의 단위로 조절하는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 층 상에 상기 유기 링커를 제공하는 시간이 증가함에 따라, 상기 도펀트 층의 물에 대한 접촉각(contact angle)이 감소하는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 그래핀 층 상에 상기 유기 링커를 제공하는 시간이 증가함에 따라, 상기 도펀트 층의 UV에 대한 흡광도(absorbance)가 증가하는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체의 제조 방법
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기판;상기 기판 상의 그래핀 층;상기 그래핀 층 상에 배치되고, 상기 그래핀 층과 파이-파이 결합(π-π interaction)을 갖는 유기 링커 층; 및상기 유기 링커 층 상의 도펀트 층을 포함하되,상기 유기 링커 층은 티올기(thiol group) 및 하이드록실기(hydroxyl group)를 갖는 방향족 원소(aromatic element)를 포함하는 기능화된 그래핀 구조체
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제12 항에 있어서,상기 유기 링커 층은, 상기 그래핀 층 및 상기 도펀트 층 사이에 선택적으로(selectively) 제공되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체
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제13 항에 있어서,상기 기판은, 상기 그래핀 층이 제공되는 제1 부분, 및 상기 그래핀 층이 제공되지 않는 제2 부분을 포함하고,상기 도펀트 층은, 상기 기판의 상기 제1 부분, 및 상기 제2 부분 상에 제공되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체
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제12 항에 있어서,상기 도펀트 층의 두께에 따라서, 페르미 레벨(Fermi level)이 조절되는 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체
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제12 항에 있어서,상기 티올기 및 하이드록실기를 갖는 방향족 원소는, 4MP(4-mercaptophenol)인 것을 포함하는 기능화된 그래핀 구조체
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