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박막, 그 제조 방법, 및 그 제조 장치(Thin film, method of fabricating the same, apparatus for fabricating the same)

  • 기술번호 : KST2016016908
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막의 제조 장치가 제공된다. 상기 박막의 제조 장치는, 일단 및 타단을 포함하는 튜브(tube), 상기 튜브의 상기 일단에 인접한 제1 영역으로 열을 공급하는 제1 히터(heater), 상기 튜브의 상기 타단에 인접한 제2 영역으로 열을 공급하고, 상기 튜브를 따라 상기 제1 히터와 나란히 배치된 제2 히터, 상기 튜브의 상기 일단으로 소스 가스(source gas)가 공급되는 가스 주입구, 및 상기 튜브의 상기 타단으로부터 상기 소스 가스가 배출되는 가스 배출구를 포함한다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 29/16 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01) C23C 16/26(2013.01)
출원번호/일자 1020150049020 (2015.04.07)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0110873 (2016.09.22) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150032615   |   2015.03.09
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170001141;
심사청구여부/일자 Y (2015.04.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김은규 대한민국 서울 성동구
2 박창수 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-0339324-59
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.01.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0003997-79
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0091540-46
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0324282-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0324264-02
7 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0324164-34
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0554894-75
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0957425-25
10 등록결정서
Decision to grant		 2017.01.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0007367-85
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0009445-48
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
일단 및 타단을 포함하는 튜브(tube);상기 튜브의 상기 일단에 인접한 제1 영역으로 열을 공급하는 제1 히터(heater);상기 튜브의 상기 타단에 인접한 제2 영역으로 열을 공급하고, 상기 튜브를 따라 상기 제1 히터와 나란히 배치된 제2 히터;상기 튜브의 상기 일단으로 소스 가스(source gas)가 공급되는 가스 주입구; 및상기 튜브의 상기 타단으로부터 상기 소스 가스가 배출되는 가스 배출구를 포함하되, 상기 제1 영역 내에는 금속 소스(metal source)가 배치되어, 상기 제1 히터에서 공급되는 열에 의해, 금속이 증발(evaporate)되고, 상기 제2 영역 내에는 기판이 배치되고, 상기 증발된 금속 가스 및 상기 소스 가스가 상기 기판 상에 동시에 제공되어, 상기 기판 상에 상기 금속이 도핑된 박막이 형성되는 것을 포함하는 박막 제조 장치
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 소스 가스는 탄소를 포함하고, 상기 기판 상에 상기 금속이 도핑된 그래핀층이 형성되는 것을 포함하는 박막 제조 장치
4 4
제1 항에 있어서, 상기 금속 소스는 전이 금속 산화물을 포함하는 박막 제조 장치
5 5
제1 항에 있어서, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역의 내부 온도는, 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터에 의해, 각각 독립적으로 조절되는 것을 포함하는 박막 제조 장치
6 6
제1 항에 있어서, 상기 제1 히터 및 상기 제2 히터는 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역을 각각 둘러싸는 것을 포함하는 박막 제조 장치
7 7
기판을 준비하는 단계;금속 소스를 증발시키는 단계; 및상기 기판 상에, 탄소를 포함하는 소스 가스, 및 상기 증발된 금속 가스를 동시에 제공하여, 상기 금속이 도핑된 그래핀층을 형성하는 단계를 포함하는 박막의 제조 방법
8 8
제7 항에 있어서, 상기 금속은, 상기 그래핀층에 포함된 탄소들과 공유 결합되어, 벌집 격자(honeycomb lattice)를 이루는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
9 9
제7 항에 있어서, 상기 금속 소스를 증발시키는 단계, 및 상기 금속이 도핑된 그래핀층을 형성하는 단계는, 동일한 튜브 내에서 수행되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
10 10
제7 항에 있어서, 상기 금속 소스를 증발시키는 단계는, 상기 금속 소스에 열을 공급하는 것을 포함하고, 상기 금속 소스에 공급되는 열을 조절하여, 상기 금속의 도핑 농도가 조절되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101789006 KR 대한민국 FAMILY
2 US10510534 US 미국 FAMILY
3 US20180025909 US 미국 FAMILY
4 WO2016143999 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101789006 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20170005503 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 US10510534 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US2018025909 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 핵심연구 2차원 층상 반도체 박막 및 양자점을 이용한 나노구조 양자소자 연구