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투명 절연성 기판; 및,상기 투명 절연성 기판상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 단위 발광-수광 화소를 포함하고, 상기 단위 발광-수광 화소는, 발광 소자와 상기 발광 소자의 동작을 제어하는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 갖는 발광부; 및,포토 트랜지스터를 갖는 수광부를 포함하며,상기 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층으로 이루어지고, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층 및 제 2 산화물 반도체층을 포함하는 다층 구조로 이루어지되, 상기 제 2 산화물 반도체층은 상기 제 1 산화물 반도체층과 게이트 절연층 사이에 형성된,발광 지문 인식 패널
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제 1 항에 있어서,상기 발광 소자와 상기 포토 트랜지스터는 적어도 일부가 투명한,발광 지문 인식 패널
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제 1 항에 있어서,상기 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제 1 산화물 반도체층으로 이루어진 단층 구조인, 발광 지문 인식 패널
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제 1 항에 있어서, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제 1 산화물 반도체층과 상기 제 2 산화물 반도체층으로 이루어진 이중층 구조인,발광 지문 인식 패널
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제 4 항에 있어서,상기 포토 트랜지스터의 제 1 산화물 반도체층과 상기 스위칭 트랜지스터의 제 1 산화물 반도체층은 서로 두께가 같은,발광 지문 인식 패널
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제 1 항에 있어서,상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 2 산화물 반도체층을 사이에 두고 두 개의 제 1 산화물 반도체층이 위 아래에 샌드위치 형태로 배치된 삼중층 구조인,발광 지문 인식 패널
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7
제 6 항에 있어서,상기 포토 트랜지스터에서 두 개의 제 1 산화물 반도체층 두께의 합은 상기 스위칭 트랜지스터에서 상기 제 1 산화물 반도체층의 두께와 같은,발광 지문 인식 패널
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8
투명 절연성 기판; 및,상기 투명 절연성 기판상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 단위 발광-수광 화소를 포함하고, 상기 단위 발광-수광 화소는, 발광 소자와 상기 발광 소자의 동작을 제어하는 적어도 하나의 제 1 스위칭 트랜지스터를 갖는 발광부; 및,포토 트랜지스터와 상기 포토 트랜지스터와 연결된 제 2 스위칭 트랜지스터를 갖는 수광부를 포함하며,상기 제 1 스위칭 트랜지스터와 상기 제 2 스위칭 트랜지스터는 각각의 게이트 전극이 상기 투명 절연성 기판상에 제 1 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선 중 어느 하나에 연결되고, 상기 포토 트랜지스터는 그 게이트 전극이 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극이 연결된 게이트 배선과 다른 게이트 배선에 연결되며,상기 포토 트랜지스터는, 상기 투명 절연성 기판상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 다수의 리드 아웃 배선 중 어느 하나의 리드 아웃 배선에, 상기 발광 소자의 발광과 동시에 상기 제 2 스위칭 트랜지스터가 온(ON) 상태일 때 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역에 입사한 광량에 따른 전류량 신호를 제공하고, 상기 다수의 리드 아웃 배선과 연결된 리드 아웃 회로는 상기 각각의 발광-수광 화소에 대응되는 게이트 배선에 게이트 온(ON) 신호가 인가되는 시간 중 시작 직후 일부의 시간이 지난 후부터 상기 전류량 신호를 검출하는,발광 지문 인식 패널
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9
제 8 항에 있어서,상기 발광 소자와 상기 포토 트랜지스터는 적어도 일부가 투명한,발광 지문 인식 패널
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10
제 8 항에 있어서,상기 포토 트랜지스터는 그 게이트 전극이 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극이 연결된 게이트 배선과 인접한 게이트 배선에 연결된,발광 지문 인식 패널
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11
제 8 항에 있어서,상기 포토 트랜지스터는, 소스 및 드레인 전극 중 어느 한쪽이 상기 제 2 스위칭 트랜지스터에 연결되고, 나머지 한쪽이 상기 어느 하나의 리드 아웃 배선과 연결된,발광 지문 인식 패널
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제 8 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층으로 이루어지고, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층 및 제 2 산화물 반도체층을 포함하는 다층 구조로 이루어진,발광 지문 인식 패널
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제 1 산화물 반도체층으로 이루어진 단층 구조이고, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층과 게이트 절연층 사이에 상기 제 2 산화물 반도체층이 형성된 이중층 구조인,발광 지문 인식 패널
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제 13 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제 1 산화물 반도체층으로 이루어진 단층 구조이고, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 2 산화물 반도체층을 사이에 두고 두 개의 제 1 산화물 반도체층이 위 아래에 샌드위치 형태로 배치된 삼중층 구조인,발광 지문 인식 패널
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평판형 디스플레이 패널; 및,상기 평판형 디스플레이 패널에서 화상이 표시되는 표면 측에 배치되는 것으로, 투명 절연성 기판과, 상기 투명 절연성 기판상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 단위 발광-수광 화소를 갖는, 발광 지문 인식 패널을 포함하고, 상기 단위 발광-수광 화소는, 발광 소자와 상기 발광 소자의 동작을 제어하는 적어도 하나의 스위칭 트랜지스터를 갖는 발광부; 및,포토 트랜지스터를 갖는 수광부를 포함하며,상기 스위칭 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층으로 이루어지고, 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역은 제 1 산화물 반도체층 및 제 2 산화물 반도체층을 포함하는 다층 구조로 이루어지되, 상기 제 2 산화물 반도체층은 상기 제 1 산화물 반도체층과 게이트 절연층 사이에 형성된,지문 인식 디스플레이 장치
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평판형 디스플레이 패널; 및,상기 평판형 디스플레이 패널에서 화상이 표시되는 표면 측에 배치되는 것으로, 투명 절연성 기판과, 상기 투명 절연성 기판상에 매트릭스 형태로 배열된 다수의 단위 발광-수광 화소를 갖는, 발광 지문 인식 패널을 포함하고, 상기 단위 발광-수광 화소는, 발광 소자와 상기 발광 소자의 동작을 제어하는 적어도 하나의 제 1 스위칭 트랜지스터를 갖는 발광부; 및,포토 트랜지스터와 상기 포토 트랜지스터와 연결된 제 2 스위칭 트랜지스터를 갖는 수광부를 포함하며,상기 제 1 스위칭 트랜지스터와 상기 제 2 스위칭 트랜지스터는 각각의 게이트 전극이 상기 투명 절연성 기판상에 제 1 방향으로 연장된 다수의 게이트 배선 중 어느 하나에 연결되고, 상기 포토 트랜지스터는 그 게이트 전극이 상기 제 1 및 제 2 스위칭 트랜지스터의 게이트 전극이 연결된 게이트 배선과 다른 게이트 배선에 연결되며,상기 포토 트랜지스터는, 상기 투명 절연성 기판상에 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로 연장된 다수의 리드 아웃 배선 중 어느 하나의 리드 아웃 배선에, 상기 발광 소자의 발광과 동시에 상기 제 2 스위칭 트랜지스터가 온(ON) 상태일 때 상기 포토 트랜지스터의 채널 영역에 입사한 광량에 따른 전류량 신호를 제공하고, 상기 다수의 리드 아웃 배선과 연결된 리드 아웃 회로는 상기 각각의 발광-수광 화소에 대응되는 게이트 배선에 게이트 온(ON) 신호가 인가되는 시간 중 시작 직후 일부의 시간이 지난 후부터 상기 전류량 신호를 검출하는,지문 인식 디스플레이 장치
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