맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

박막 트랜지스터용 고분자 절연막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2018014454
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 개시제를 이용한 화학기상증착법(initiated chemical vapor deposition, iCVD)을 이용하고 높은 유전상수를 나타내는 사이아나이드(cyanide) 또는 히드록시(hydroxyl) 작용기를 가진 단량체를 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제를 이용해 가교하여 절연막의 절연특성을 증가시킬 수 있으며, 20~100nm의 매우 얇은 두께에서도 매우 작은 누설전류만 나타내 유기반도체뿐만 아니라 산화물반도체를 이용한 TFT에 적용하여 낮은 구동전압을 가진 고성능 TFT를 제작할 수 있다.
Int. CL C23C 16/44 (2006.01.01) C23C 16/448 (2006.01.01) H01L 29/49 (2006.01.01)
CPC C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01) C23C 16/44(2013.01)
출원번호/일자 1020170050307 (2017.04.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2018-0117331 (2018.10.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.04.19)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 임성갑 대한민국 대전광역시 유성구
2 최준환 대한민국 대전광역시 유성구
3 주문규 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장제환 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)
2 이처영 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, **층 (역삼동, 윤익빌딩)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0382243-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0265413-17
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.06.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0557817-17
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.06.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-0557816-72
5 등록결정서
Decision to grant		 2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0727395-86
6 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
 2019.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5005835-66
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
사이아나이드 또는 히드록시 작용기를 가진 단량체 및 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제를 iCVD 반응기 내로 유입시키면서 기판 상에 사이아나이드 또는 히드록시 작용기를 가진 단량체 및 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제의 공중합체를 형성하는 단계를 포함하고,상기 사이아나이드 또는 히드록시 작용기를 가진 단량체는 2-시아노에틸 아크릴레이트(2-cyanoethyl acrylate), 시아노메틸 아크릴레이트(cyanomethyl acrylate), 비닐벤질 사이아나이드(vinylbenzyl cyanide), 2-히드록시에틸 아크릴레이트(2-hydroxyethyl acrylate), 2-히드록시에틸 메타아크릴레이트(2-hydroxyethyl methacrylate)로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상이고,상기 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제는 디(에틸렌글리콜)디비닐에테르(di(ethylene glycol) divinyl ether, DEGDVE), 1,4-부탄다이올 디비닐에테르(1,4-butanediol divinyl ether), 트리(에틸렌글리콜)디비닐에테르 (tri(ethylene glycol) divinyl ether), 테트라(에틸렌글리콜)디비닐에테르 (tetra(ethylene glycol) divniyl ether) 로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상이며,상기 사이아나이드 또는 히드록시 작용기를 가진 단량체와 상기 디비닐에테르 작용기를 가진 가교제의 투입량(몰비)은 1:0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리, 금속, 금속산화물, 목재, 종이, 섬유, 플라스틱, 고무, 피혁 및 실리콘으로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 절연막의 제조방법
6 6
기판 위에 2-시아노에틸 아크릴레이트와 디(에틸렌글리콜)디비닐에테르의 공중합체가 20~200nm의 두께로 증착되고 5
7 7
제6항에 있어서, 2-시아노에틸 아크릴레이트와 디(에틸렌글리콜)디비닐에테르의 몰비율이 1:0
8 8
기판 위에 2-히드록시 아크릴레이트와 디(에틸렌글리콜)디비닐에테르의 공중합체가 20~200nm의 두께로 증착되고 6
9 9
제6항 또는 제8항의 고분자 절연막을 포함하는 박막 트랜지스터 소자
10 10
제9항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터 소자는 바텀 게이트(bottom gate) 박막 트랜지스터 소자, 탑 게이트(top gate) 박막 트랜지스터 소자 또는 IGZO 박막 트랜지스터 소자인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018194220 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2018194220 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 원천기술개발사업-나노기반 소프트 일렉트로닉스 연구 고성능 소프트 집적회로 기술