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기판;상기 기판 상의 AlGaN/GaN층으로서 그 사이의 계면에 2DEG(2 dimensional electron gas)층이 형성되어 있는 AlGaN/GaN층;상기 AlGaN층 위의 일부분에 형성된 절연층;상기 절연층 상에 형성된 제 1 전극층;상기 AlGaN/GaN층의 일부분은 GaN 층이 노출되도록 패터닝되어 있으며, 상기 노출된 GaN층 상에 형성된 제 2 전극층;상기 제 2 전극층을 보호하기 위한 보호층; 및상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 사이의 AlGaN층 위에 형성된 금속 산화물 나노로드 및 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드층을 포함하고,상기 보호층은 제 1 보호층 및 제 2 보호층을 포함하고, 상기 제 2 전극층 위에 제 1 보호층 및 제 2 보호층이 차례대로 배치되며, 상기 제 1 보호층은 상기 제 2 전극층을 인캡슐레이션하고 있어 제 2 전극층 위에서 금속 산화물의 성장을 방지하고, 상기 제 2 보호층은 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층이 상기 환원된 그래핀 옥사이드에 의해 전기적으로 접합되는 것을 막도록 배치되며, 이에 의해 상기 제 1 전극층과 상기 하이브리드층은 오믹 접합(ohmic contact)을 이루고, 상기 제 2 전극층과 상기 GaN층은 오믹 접합을 이루며, 상기 하이브리드층은 상기 AlGaN/GaN층과 쇼트키 접합(Schottky contact)을 이루는,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서
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제 1 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3 층인,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노로드는 산화아연 나노로드인,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서
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제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노로드 및 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드층에서 상기 금속 산화물 나노로드는 상기 AlGaN층으로부터 수직으로 성장된,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서
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제 1 항 내지 제 3 항 및 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서를 이용하며, 상기 쇼트키 다이오드 기체 센서에 역바이어스(reverse biasing)를 인가하여 전기적 신호 변화를 이용해 검지하고자 하는 기체의 존재 여부를 판단하는,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서를 이용한 검지 방법
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기판 상에 AlGaN/GaN 층을 증착하고, AlGaN/GaN 사이에 2DEG(2 dimensional electron gas)층이 형성되는 단계;상기 GaN층이 노출되도록 일부분을 패터닝하는 단계;상기 AlGaN 층 위의 일부분에 절연층을 증착하는 단계;상기 절연층 상에 제 1 전극층을 형성하고, 상기 노출된 GaN층 상에 제 2 전극층을 형성하는 단계;상기 제 2 전극층을 보호하는 제 1 보호층을 증착하는 단계;상기 제 1 전극층 및 상기 제 2 전극층 사이의 AlGaN층 위에 금속 산화물 나노로드를 성장시키는 단계;상기 제 2 전극층과 상기 제 1 전극층 사이의 접합을 막기 위해 상기 제 2 전극층 위에 제 2 보호층을 증착하는 단계;상기 금속 산화물 나노로드 및 상기 AlGaN층을 연결하며 감싸도록 그래핀 옥사이드층을 형성시키는 단계; 및상기 그래핀 옥사이드층을 환원시키는 단계를 포함하고,상기 제 1 보호층은 상기 제 2 전극층을 인캡슐레이션하고 있어 제 2 전극층 위에서 금속 산화물의 성장을 방지하고, 상기 제 2 보호층은 상기 제 1 전극층과 상기 제 2 전극층이 상기 환원된 그래핀 옥사이드에 의해 전기적으로 접합되는 것을 막도록 배치되며, 이에 의해 상기 제 1 전극층과 상기 하이브리드층은 오믹 접합(ohmic contact)을 이루고, 상기 제 2 전극층과 상기 GaN층은 오믹 접합을 이루며, 상기 하이브리드층은 상기 AlGaN/GaN층과 쇼트키 접합(Schottky contact)을 이루는,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3 층인,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노로드는 산화아연 나노로드인,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 금속 산화물 나노로드 및 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드층에서 상기 금속 산화물 나노로드는 상기 AlGaN층으로부터 수직으로 성장되는,금속 산화물 나노로드와 환원된 그래핀 옥사이드의 하이브리드 구조를 이용한 쇼트키 다이오드 기체 센서의 제조 방법
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