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반도체 물질 기판; 상기 반도체 물질 기판 위에 형성된 절연막; 상기 반도체 물질 기판의 일부와 이종 접합되고 상기 절연막의 일부와 연결되도록 형성된 반도체 박막 물질; 상기 반도체 박막 물질 위에 형성된 가스분자 흡착유도 물질; 상기 반도체 물질 기판 위에 상기 반도체 박막 물질과 이격되도록 형성된 제1 전극; 및 상기 절연막 위에 상기 반도체 박막 물질과 연결되도록 형성된 제2 전극을 포함하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 물질 기판은, 쿼츠, 유리 및 플렉서블한 폴리머 기판 중에서 어느 하나 위에 다른 반도체 박막 물질을 증착하여 상기 증착된 다른 반도체 박막 물질을 상기 반도체 물질 기판으로 형성되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제2항에 있어서,상기 증착된 반도체 박막 물질은 메탈 옥사이드(Metal Oxide) 계열, 실리콘 계열 및 오가닉(Organic) 물질 중에서 어느 하나의 물질을 포함하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 절연막은, 상기 반도체 물질 기판 위에 상기 형성된 반도체 박막 물질과 연결된 제2 전극과의 이격을 위한 절연막으로 증착되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 반도체 박막 물질은, 페르미 준위의 변화가 가능한 반도체 물질, 옥사이드 반도체 및 2차원 물질 중에서 어느 하나로 이루어진 반도체 박막 물질로 형성되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 절연막은, 옥사이드 기반 절연체 물질 또는 2차원 물질 기반 절연막 물질로 이루어진 절연막으로 형성되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질은, 금속나노입자, 옥사이드 나노물질, 옥사이드 나노물질과 혼합한 물질 및 카본나노튜브 중에서 어느 하나의 물질로 이루어진 가스분자 흡착유도 물질로 형성되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질은, 상기 반도체 박막 물질 위에 서로 이격된 복수의 가스분자 흡착유도 물질로 형성되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제1항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질에 가스 분자가 결착되면, 상기 반도체 물질 기판과 상기 반도체 박막 물질 사이의 에너지 장벽에 의한 소자 전류가 변화되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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제9항에 있어서,상기 소자 전류의 전류량 변화는 상기 반도체 물질 기판과 상기 반도체 박막 물질 사이의 페르미 준위 변화에 대하여 지수로 비례하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서
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반도체 물질 기판을 형성하는 단계; 상기 반도체 물질 기판 위에 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체 물질 기판의 일부와 이종 접합되고 상기 절연막의 일부와 연결되도록 반도체 박막 물질을 형성하는 단계; 상기 반도체 박막 물질 위에 가스분자 흡착유도 물질을 형성하는 단계; 상기 반도체 물질 기판 위에 상기 반도체 박막 물질과 이격되도록 제1 전극을 형성하는 단계; 및 상기 절연막 위에 상기 반도체 박막 물질과 연결되도록 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 반도체 물질 기판을 형성하는 단계는, 쿼츠, 유리 및 플렉서블한 폴리머 기판 중에서 어느 하나 위에 다른 반도체 박막 물질을 증착하여 상기 증착된 다른 반도체 박막 물질을 상기 반도체 물질 기판으로 형성하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 증착된 반도체 박막 물질은 메탈 옥사이드(Metal Oxide) 계열, 실리콘 계열 및 오가닉(Organic) 물질 중에서 어느 하나의 물질을 포함하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 단계는, 상기 반도체 물질 기판 위에 상기 형성된 반도체 박막 물질과 연결된 제2 전극과의 이격을 위한 절연막을 증착하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 반도체 박막 물질을 형성하는 단계는, 페르미 준위의 변화가 가능한 반도체 물질, 옥사이드 반도체 및 2차원 물질 중에서 어느 하나로 이루어진 반도체 박막 물질을 형성하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 절연막을 형성하는 단계는, 옥사이드 기반 절연체 물질 또는 2차원 물질 기반 절연막 물질로 이루어진 절연막을 형성하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질을 형성하는 단계는, 금속나노입자, 옥사이드 나노물질, 옥사이드 나노물질과 혼합한 물질 및 카본나노튜브 중에서 어느 하나의 물질로 이루어진 가스분자 흡착유도 물질을 형성하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질을 형성하는 단계는, 상기 반도체 박막 물질 위에 서로 이격된 복수의 가스분자 흡착유도 물질을 형성하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 가스분자 흡착유도 물질에 가스 분자가 결착되면, 상기 반도체 물질 기판과 상기 반도체 박막 물질 사이의 에너지 장벽에 의한 소자 전류가 변화되는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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제19항에 있어서,상기 소자 전류의 전류량 변화는 상기 반도체 물질 기판과 상기 반도체 박막 물질 사이의 페르미 준위 변화에 대하여 지수로 비례하는, 가스분자 흡착유도 물질을 포함한 전계 가변형 가스 센서 제조 방법
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