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메인 챔버 내부에 평탄화하고자 하는 대상물을 제공하는 단계;식각용 가스를 메인 챔버의 제1 개구에 주입하는 단계;가시광선을 상기 메인 챔버의 제2 개구에 입사하는 단계; 및메인 챔버 내부에서, 상기 주입된 식각용 가스와 상기 입사된 가시광선을 이용하여 상기 대상물의 표면을 평탄화하는 단계를 포함하되,상기 가시광선의 파장은 적어도 상기 식각용 가스의 종류에 기초하여 결정되며, 상기 가시광선은 상기 식각용 가스의 해리 에너지(dissociation energy)보다 낮은 에너지를 갖는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 방법
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제1항에 있어서,상기 식각용 가스는, Cl2, Br2, CF4, SF6, HBr 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 방법
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제1항에 있어서,상기 대상물은 그레인(grain) 구조를 가지고,상기 입사된 가시광선을 이용하여 상기 대상물의 표면을 평탄화하는 단계는,상기 대상물의 그레인 크기의 감소로 인하여 표면의 거칠기가 다시 증가하기 직전까지 지속되는 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 방법
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제1항에 있어서,상기 메인 챔버의 제2 개구는, 쿼츠 재질의 윈도우를 포함하는 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 방법
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일정한 압력의 식각용 가스를 주입하기 위한 레귤레이터;상기 식각용 가스의 유량을 조절하기 위한 가스 유량 조절 장치;가시광선을 평행하게 입사하기 위한 콜리메이션 렌즈;상기 가시광선의 광량을 조절하기 위한 광원 농도 필터;상기 가시광선의 굵기를 조절하기 위한 빔 익스팬더;제공되는 대상물의 표면이 평탄화 되는 메인 챔버로서, 상기 조절된 식각용 가스를 주입하기 위한 제1 개구, 및 상기 조절된 가시광선을 입사하기 위한 제2 개구를 포함하는 메인 챔버; 및평탄화 작업 이후, 상기 식각용 가스를 상기 메인 챔버로부터 외부로 배출하기 위한 펌프를 포함하고,메인 챔버 내부에서, 상기 주입된 식각용 가스와 상기 입사된 가시광선을 이용하여 상기 대상물의 표면을 평탄화하되,상기 가시광선의 파장은 적어도 상기 식각용 가스의 종류에 기초하여 결정되며, 상기 가시광선은 상기 식각용 가스의 해리 에너지(dissociation energy)보다 낮은 에너지를 갖는 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 장치
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제6항에 있어서,상기 식각용 가스는, Cl2, Br2, CF4, SF6, HBr 중 하나인 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 장치
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제6항에 있어서,상기 대상물은 그레인 구조를 가지고,상기 장치는, 상기 대상물의 그레인 크기의 감소로 인하여 표면의 거칠기가 다시 증가하기 직전까지 대상물을 평탄화하도록 설정되는 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 장치
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제6항에 있어서,상기 메인 챔버의 제2 개구는, 쿼츠 재질의 윈도우를 포함하는 것을 특징으로 하는, 가시광선 광원을 이용한 대상물의 표면 평탄화 장치
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