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P형 반도체의 오믹 컨택 형성을 위한 페이스트 및 이를 이용한 P형 반도체의 오믹 컨택 형성 방법

  • 기술번호 : KST2018016415
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 P형 반도체의 오믹 컨택 형성을 위한 페이스트로서, 금속 산화물과 바인더를 포함하고, 금속 산화물은 레늄 산화물 또는 몰리브덴 산화물인 P형 반도체의 오믹 컨택 형성용 페이스트에 관한 것이다.
Int. CL H01L 21/04 (2006.01.01) H01L 29/45 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01) H01L 21/043(2013.01)
출원번호/일자 1020170073908 (2017.06.13)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1980270-0000 (2019.05.14)
공개번호/일자 10-2018-0135635 (2018.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20190521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.13)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최지원 대한민국 서울특별시 성북구
2 김진상 대한민국 서울특별시 성북구
3 강종윤 대한민국 서울특별시 성북구
4 김성근 대한민국 서울특별시 성북구
5 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
6 김상태 대한민국 서울특별시 성북구
7 이원재 대한민국 충청남도 서산시
8 파르마 나렌드라 싱 인도 서울특별시 성북구
9 이영신 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김 순 영 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)
2 김영철 대한민국 서울특별시 종로구 종로*길 **, **층 케이씨엘특허법률사무소 (수송동, 석탄회관빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-0562023-66
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2018.07.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2018.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2018-0110436-34
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2018.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0636910-99
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2018.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2018-1131137-33
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2018.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-1131136-98
7 등록결정서
Decision to grant		 2019.02.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0116680-64
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번호 청구항
1 1
P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법으로서, 기판에 페이스트를 도포하는 단계;진공 처리 및 열처리 없이 상기 기판을 건조하는 단계; 및상기 기판을 표면 처리하는 단계를 포함하고,상기 페이스트는, 레늄 산화물 또는 몰리브덴 산화물인 금속산화물과 바인더를 포함하고, 상기 바인더는 무기물 또는 유기 고분자 화합물인 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 레늄 산화물은 Re2O, Re2O3, ReO2, ReO3 또는 Re2O7 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 몰리브덴 산화물은 Mo2O,Mo2O3,MoO2,MoO3또는 Mo2O7 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 유기 고분자 화합물은, 비닐계 고분자 화합물, 폴리아미드계 고분자 화합물 또는 폴리우레탄계 고분자 화합물 중에서 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 비닐계 고분자 화합물은, 폴리비닐알코올인 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 폴리비닐알코올은 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 레늄 산화물은 ReO2 이고 상기 바인더는, 0
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 몰리브덴 산화물은 MoO2 이고,상기 바인더는, 0
10 10
삭제
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 기판을 표면 처리하는 단계는, 용매 및 끓는 왕수에 침지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 기판은, GaN 기판인 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 GaN 기판은, 가요성을 갖는 것을 특징으로 하는 P형 반도체의 오믹 컨택을 형성하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 US10685762 US 미국 FAMILY
2 US20180358146 US 미국 FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10685762 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018358146 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.