1 |
1
제1 기판;상기 제1 기판과 제1 방향으로 이격된 제2 기판;상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치된 열전 소자;상기 열전 소자와 상기 제1 기판 사이에 배치된 제1 전극;상기 열전 소자와 상기 제2 기판 사이에 배치된 제2 전극;상기 열전 소자와 상기 제1 전극 사이에 배치된 배리어층; 및상기 제1 전극과 상기 배리어층 사이에 배치되는 3차원 계면층을 포함하며, 상기 3차원 계면층은, 상기 제1 전극과 연속적으로 연결되며, 상기 제1 전극과 동일한 물질을 포함하며, 3차원으로 연결된 네트워크 구조를 가지며, 상기 제1 방향을 따라 밀도 구배를 갖는 전극 물질부; 및상기 배리어층과 연속적으로 연결되며, 상기 배리어층과 동일한 물질을 포함하며, 상기 전극 물질부와 역상으로 결합된 3차원 네트워크 구조를 가지며, 상기 전극 물질부와 반대 방향으로 밀도 구배를 갖는 배리어 물질부를 포함하는 열전 모듈
|
2 |
2
제1항에 있어서, 상기 전극 물질부 및 상기 배리어 물질부는 서로 다른 물질을 포함하며, 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 이들의 합금 및 이들의 금속 화합물로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
3 |
3
제2항에 있어서, 상기 전극 물질부의 열팽창율은 상기 배리어 물질부의 열팽창율보다 큰 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
4 |
4
제3항에 있어서, 상기 전극 물질부의 밀도는 상기 제1 전극에 가까울수록 커지고, 상기 배리어 물질부의 밀도는 상기 배리어층에 가까울수록 커지는 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
5 |
5
제2항에 있어서, 상기 전극 물질부의 열팽창율은 상기 배리어 물질부의 열팽창율보다 작은 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
6 |
6
제1항에 있어서, 상기 열전 소자는, 칼코게나이드(chalcogenide)계, 스쿠테루다이트(skutterudite)계, 실리사이드(silicide)계, 클래스레이트(clathrate)계, 하프 휘슬러(Half heusler)계 및 비스무트-텔루륨(Bi-Te)계 물질로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
7 |
7
제6항에 있어서, 상기 열전 소자는 n 타입 또는 p 타입으로 도핑된 것을 특징으로 하는 열전 모듈
|
8 |
8
제1 도전층 상에 수직 방향으로 밀도 구배를 갖는 3차원 다공성 주형을 형성하는 단계;상기 3차원 다공성 주형의 기공을 충진하여, 상기 3차원 다공성 주형의 역상의 3차원 네트워크 구조를 가지며 도전성을 가지며 상기 제1 도전층과 연속적으로 연결되며, 상기 수직 방향으로 밀도 구배를 갖는 제1 충진 구조를 형성하는 단계;상기 3차원 다공성 주형을 제거하는 단계;상기 3차원 다공성 주형이 제거되어 형성된 기공에, 상기 제1 충진 구조의 역상의 3차원 네트워크 구조를 가지며 도전성을 가지며, 상기 제1 충진 구조와 반대 방향의 밀도 구배를 갖는 제2 충진 구조 및 상기 제2 충진 구조와 연속적으로 연결되며 플레이트 형상을 가지며, 상기 제1 도전층과 이격되는 제2 도전층을 형성하는 단계; 상기 제1 도전층과 기판을 결합하는 단계; 및상기 제2 도전층과 열전 소자를 결합하는 단계를 포함하는 열전 모듈의 제조 방법
|
9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제1 도전층과 상기 제1 충진 구조는 동일한 물질을 포함하며, 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 이들의 합금 및 이들의 금속 화합물로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 모듈의 제조 방법
|
10 |
10
제8항에 있어서, 상기 제2 도전층은 상기 제1 도전층과 다른 물질을 포함하며, 상기 제2 충진 구조와 동일한 물질을 포함하고, 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 구리(Cu), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 텅스텐(W), 이들의 합금 및 이들의 금속 화합물로 이루어지는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 모듈의 제조 방법
|
11 |
11
제8항에 있어서, 상기 제1 충진 구조 및 상기 제2 충진 구조는, 도금 또는 용액 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 열전 모듈의 제조 방법
|
12 |
12
제8항에 있어서, 상기 3차원 다공성 주형은, 3차원으로 정렬된 기공 및 상기 정렬된 기공보다 작은 크기를 가지며, 상기 정렬된 기공들을 연결하는 미세 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 모듈의 제조 방법
|
13 |
13
제8항에 있어서, 상기 3차원 다공성 주형은, 각 층에 정렬된 입자들을 포함하는 다층 구조를 가지며, 상기 입자들의 크기는 층에 따라 다른 것을 특징으로 하는 열전 모듈의 제조 방법
|