| 1 |
1
진동하는 작동 유체의 파동에너지를 이동시키는 채널들을 구비하는 스택;상기 스택의 일측에 배치되어 상기 채널들에 직접 연결되는 제1공진부를 형성하는 제1파동 가이드 플레이트;상기 스택의 다른 일측에 배치되어 상기 채널들에 직접 연결되는 제2공진부를 형성하며, 상기 제1파동 가이드 플레이트에 접합되는 제2파동 가이드 플레이트; 및상기 제1파동 가이드 플레이트 및 상기 제2파동 가이드 플레이트 중 어느 일측에 구비되는 압전소자를 포함하며,상기 제1파동 가이드 플레이트는상기 제1공진부의 외곽에 제1단차를 구비하고,상기 제2파동 가이드 플레이트는상기 제1단차에 대응하도록 상기 제2공진부의 외곽에 제2단차를 구비하며,상기 제1파동 가이드 플레이트와 상기 제2파동 가이드 플레이트는상기 제1단차와 상기 제2단차에 상기 스택을 설치하여 서로 직접 접합되고,상기 스택은 실리콘 웨이퍼로 형성되는 초음파 냉각 장치
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 압전소자는상기 제1파동 가이드 플레이트에 부착되며,상기 스택은상기 제1공진부 측에 저온부를 형성하고,상기 제2공진부 측에 고온부를 형성하는 초음파 냉각 장치
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 압전소자에서 상기 제1공진부 및 상기 스택를 경유하여 상기 제2공진부 끝에 이르는 공명기 길이는20~40kHz 초음파 파장의 λ/4로 설정되는 초음파 냉각 장치
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
채널들을 구비하는 스택을 실리콘 웨이퍼로 제조하는 제1단계;공진부와 단차를 형성하여 상기 스택의 양측에 배치되는 파동 가이드 플레이트를 제조하는 제2단계;1쌍의 상기 파동 가이드 플레이트 사이의 상기 단차에 상기 스택을 설치하여 직접 접합되고 상기 채널들을 상기 공진부에 직접 연결하는 제3단계; 및1쌍 중 어느 일측 파동 가이드 플레이트에 압전소자를 부착하는 제4단계를 포함하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 제1단계는상기 실리콘 웨이퍼를 준비하는 제11단계,상기 실리콘 웨이퍼의 제1면에 금속 필름을 형성하는 제12단계,상기 금속 필름의 반대측 상기 실리콘 웨이퍼의 제2면에 포토 레지스트를 도포하고, 노광 현상하여 상기 채널들에 대응하는 포토 레지스트 패턴을 형성하는 제13단계,상기 포토 레지스트 패턴에 따라 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하는 제14단계,상기 제1면과 제2면으로부터 포토 레지스트 패턴과 금속 필름을 제거하는 제15단계, 및상기 실리콘 웨이퍼를 단위 스택으로 절단하는 제16단계를 포함하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 제12단계는상기 제1면에 박막의 알루미늄 필름을 적층하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 제14단계는딥 반응 이온 에칭(Deep Reactive Ion Etching) 공정으로 상기 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 상기 채널들을 형성하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 제15단계는습식 에칭 공정으로 상기 포토 레지스트 패턴과 상기 금속 필름을 제거하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 제16단계는다이싱(Dicing) 공정으로 실리콘 웨이퍼를 절단하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
| 12 |
12
제6항에 있어서,상기 제2단계는드로잉 공정, 프레스 공정 및 밀링 공정 중 하나로 대상 플레이트에 제1홈을 가공하고,상기 제1홈의 중심에 제2홈을 더 가공하여 상기 공진부를 형성하면서 상기 제2홈의 외곽에서 상기 제1홈으로 상기 단차를 형성하여 상기 파동 가이드 플레이트를 제조하는 초음파 냉각 장치의 제조 방법
|
