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나노파티클 및 접착층을 포함하는 베이스가 마련되고,상기 나노파티클을 대상으로 화학적으로 불순물을 제거하는 제1공정이 수행되고,상기 불순물이 제거된 상기 나노파티클을 대상으로 표면을 물리적으로 강화시키기 위해 상기 나노파티클에 레이저를 조사하는 제2공정이 수행되고,상기 베이스는,상기 나노파티클이 상기 접착층의 일측에 기 결정된 패턴으로 배치되고, 상기 나노파티클의 상기 기 결정된 패턴은 몰드에 형성되는 트렌치의 형상에 대응되도록 형성되는, 투명전극을 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 베이스는,상기 몰드에 상기 기 결정된 패턴의 상기 트렌치를 형성하고,상기 기 결정된 패턴이 형성된 상기 몰드 상에 상기 나노파티클을 공급하고,상기 트렌치에 상기 나노파티클을 충진하고,상기 나노파티클이 충진된 상기 몰드의 일면에 상기 접착층이 부착되고,상기 접착층을 향해 자외선을 조사하는, 투명전극을 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 제1공정은 상기 베이스를 초산(Acetic Acid)에 침지시키는 초산처리 공정(AAT; Acetic Acid Treatment)을 포함하는, 투명전극을 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 접착층은 수지층 및 PET필름(PET film; polyethylene terephthalate film)을 포함하는, 투명전극을 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 트렌치의 폭 또는 깊이는 1 내지 30μm 인, 투명전극을 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서,상기 불순물은 옥사이드(Oxide)를 포함하는, 투명전극을 제조하는 방법
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나노파티클이 충진될 수 있는 트렌치가 마련되고, 상기 나노파티클을 포함하는 베이스를 형성하는 몰드;상기 트렌치에 상기 나노파티클을 충진시키는 충진부재;접착층이 증착된 상기 나노파티클에 상기 접착층 및 상기 나노파티클 간의 접착을 촉진하기 위해 자외선을 조사하는 자외선조사부;상기 접착층과 상기 나노파티클을 포함한 베이스를 대상으로, 화학적으로 불순물을 제거하는 제1공정을 수행하는 제1공정부; 및상기 나노파티클의 표면을 물리적으로 강화시키기 위해 상기 나노파티클에 레이저를 조사하는 제2공정을 수행하는 제2공정부;를 포함하는, 투명전극을 제조하는 장치
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청구항 9에 있어서,상기 제1공정은 상기 베이스를 초산(Acetic Acid)에 침지시키는 초산처리 공정(AAT; Acetic Acid Treatment)을 포함하는, 투명전극을 제조하는 장치
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청구항 9에 있어서,상기 트렌치의 폭 또는 깊이는 1 내지 30μm 인, 투명전극을 제조하는 장치
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청구항 9에 있어서,상기 불순물은 옥사이드(Oxide)를 포함하는, 투명전극을 제조하는 장치
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청구항 9에 있어서,상기 나노파티클은 구리나노파티클(Cu NP; copper nano paticle)인, 투명전극을 제조하는 장치
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청구항 9에 있어서
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나노파티클; 및상기 나노파티클과 결합이 되는 접착층;을 포함하고,상기 결합은,자외선조사에 의해 이루어지고,화학적으로 불순물이 제거되는 제1공정 및 물리적으로 표면을 강화시키기 위해 상기 나노파티클에 레이저를 조사하는 제2공정이 수행된, 투명전극
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청구항 17에 있어서,상기 제1공정은 노출된 상기 나노파티클을 초산(Acetic Acid)에 침지시키는 초산처리 공정(AAT; Acetic Acid Treatment)을 포함하는, 투명전극
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청구항 17에 있어서,상기 불순물은 옥사이드(Oxide)인, 투명전극
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