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기판 상에 제1 패턴, 및 오프닝부를 포함하는 제2 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판의 상부에서 상기 기판의 전면에 면광원을 제공하여 상기 제1 패턴 및 상기 오프닝부를 포함하는 제2 패턴을 연질경화시키는 단계를 포함하고, 상기 제2 패턴은 상기 제1 패턴보다 넓은 선폭을 가지며, 상기 제1 패턴 및 상기 제2 패턴은 연질경화되어 각각 제1 금속 패턴 및 제2 금속 패턴이 형성되고, 상기 제2 금속 패턴이 형성된 영역은 상기 오프닝부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 패턴, 및 상기 오프닝부를 포함하는 제2 패턴을 연질경화시키는 단계에서,상기 제2 금속 패턴의 선폭은 상기 제1 금속 패턴의 선폭에 비해 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제2항에 있어서, 상기 오프닝 부는 상기 제2 금속 패턴이 형성된 영역에서 서로 균일한 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 오프닝 부의 형상은, 다각형, 타원형, 원형, 소정 너비의 직선형, 곡선형, 사다리꼴, 평행사변형, 마름모형 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제3항에 있어서, 상기 제1 금속 패턴이 형성된 면적과, 상기 제2 금속 패턴이 형성된 영역의 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 면광원은 IPL(intense pulsed light)인 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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기판 상에 전도성 잉크를 도포하는 단계;상기 전도성 잉크가 도포된 상기 기판 상에 제1 마스크 패턴, 및 미세 패턴들을 포함하는 제2 마스크 패턴이 형성된 마스크를 정렬하는 단계;상기 마스크가 정렬된 상기 기판의 상부에서 면광원을 제공하여 상기 전도성 잉크를 선택적으로 소결하는 단계;상기 마스크를 제거하는 단계; 및상기 전도성 잉크를 선택적으로 소결하는 단계에서 소결되지 않은 전도성 잉크를 상기 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하고, 상기 제2 마스크 패턴은 상기 제1 마스크 패턴보다 넓은 선폭을 가지며, 상기 면광원이 상기 제1 마스크 패턴을 관통한 영역에는 제1 금속 패턴이 형성되고, 상기 면광원이 상기 제2 마스크 패턴을 관통한 영역에서는 오프닝부를 포함하는 제2 금속 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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8
제7항에 있어서, 상기 마스크를 제거하는 단계에서,상기 미세 패턴들을 제거함에 따라 상기 소결된 전도성 잉크 상에 오프닝부가 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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삭제
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제8항에 있어서,상기 제2 마스크 패턴의 개구부의 선폭은 상기 제1 마스크 패턴의 개구부의 선폭에 비해 넓게 형성되며,상기 제2 금속 패턴의 선폭은 상기 제1 금속 패턴의 선폭에 비해 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제8항에 있어서, 상기 오프닝 부는 상기 제2 금속 패턴이 형성된 영역에서 서로 균일한 간격으로 배열되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제11항에 있어서, 상기 면광원이 상기 제1 마스크 패턴을 투과하는 영역의 면적과, 상기 면광원이 상기 제2 마스크 패턴에서 상기 미세 패턴들을 제외하고 투과하는 영역의 면적이 동일한 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 전도성 잉크는 반도체 분말이 포함된 반도체 혼합잉크 또는 금속 분말이 포함된 금속 혼합잉크로, 광 에너지의 제공에 따라 소결되어 전도성을 가지는 것을 특징으로 하는 전극 패턴의 형성 방법
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