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기판;상기 기판의 일면에 위치한 절연층;상기 절연층의 일면에 위치한 소스 전극 및 드레인 전극; 및상기 소스 전극 및 드레인 전극을 전기적으로 연결하는 채널층을 포함하며,상기 채널층은 2차원 반도체 물질로 이루어지며, 상기 채널층은 전체적으로 단일층이 도포되지만, 일부 영역에서는 복수의 층으로 적층된 형태로 구성된,시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 층으로 적층된 일부 영역의 비율이 증가할수록, 소자의 전기 전도도 변화율이 증가하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 소자는 전류가 인가되면, 줄 히팅(Joule heating)에 의하여 에너지가 발생하여 소자의 온도가 증가하여 전기 전도도가 증가하는, 시냅스 소자
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제3항에 있어서,상기 소자는 인가된 전류가 차단된 시점으로부터 1 내지 5분 사이에 원래의 온도로 감소되어 전기 전도도가 감소하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 소자는 전기적 게이팅(carrier control)에 의하여 저장 시간 제어가 가능한, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 소자는 2단자 소자인, 시냅스 소자
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7
제1항에 있어서,상기 소자의 메모리 특성은 on/off ratio는 8을 초과하는, 시냅스 소자
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8
제1항에 있어서,상기 절연층은 SiO2을 포함하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극 각각은 텅스텐을 포함하는, 시냅스 소자
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제1항에 있어서,상기 2차원 반도체 물질은 MoS2, MoSe2, WS2, WSe2 중 어느 하나를 포함하는,시냅스 소자
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제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 따른 시냅스 소자를 이용한, 단기 메모리 소자
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