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서로 대향하게 배치된 제1 전극과 제2 전극; 및상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 2-D 층상 구조의 결정 구조를 갖는 제1 유무기 할로겐 화합물과 0-D 헥사고날 이합체(dimer) 결정구조를 갖는 제2 유무기 할로겐 화합물의 혼합물로 형성되어 내부에 상기 제1 유무기 할로겐 화합물과 상기 제2 유무기 할로겐 화합물 사이의 벌크 헤테로 접합(bulk hetero-junction)이 형성된 저항 변화층;을 포함하는, 멤리스터 소자
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제1항에 있어서,상기 제1 유무기 할로겐 화합물은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하고, 상기 제2 유무기 할로겐 화합물은 하기 화학식 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, R은 +1가의 유기 양이온을 나타내고, M은 금속 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내며, x, y, z, a, b 및 c는 서로 독립적으로 -0
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제2항에 있어서,상기 유기 양이온(R)은 CH(NH2)2+, CH3NH3+ 및 N2H5+로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제3항에 있어서, 상기 금속 양이온(M)은 비스무스 이온(Bi3+) 또는 안티모니 이온(Sb3+)을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제4항에 있어서,상기 유기 양이온(R)은 CH(NH2)2+,이고, 상기 금속 양이온(M)은 비스무스 이온이며, 상기 할로겐 음이온(X)은 요오드 이온인 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제2항에 있어서, 상기 제1 유기 할로겐 화합물은 가상의 제1 중심 평면을 갖는 제1 층상 구조, 상기 제1 중심 평면과 평행하고 이격되게 위치하는 가상의 제2 중심 평면을 갖는 제2 층상 구조 및 상기 제1 층상 구조 및 상기 제2 층상 구조 사이에 배치되어 이들을 이격시키는 유기 이온들을 포함하는 결정구조를 갖고, 상기 제1 층상 구조는 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 제1 팔면체 단위들이 상기 제1 중심 평면에 중심면이 위치하고 인접하게 배치된 제1 팔면체 단위들이 1개의 면을 공유하도록 배치된 구조를 가지고, 상기 제2 층상 구조는 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 제2 팔면체 단위들이 상기 제2 중심 평면에 중심면이 위치하고 인접하게 배치된 제2 팔면체 단위들이 1개의 면을 공유하도록 배치된 구조를 가지고, 상기 제2 층상 구조를 상기 제2 중심 평면에 평행한 회전축을 기준으로 180°회전하는 경우, 상기 제2 층상 구조는 상기 제1 층상 구조와 동일한 구조를 가지며, 상기 제2 유무기 할로겐 화합물은 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 팔면체 단위 2개가 1개의 면을 공유하도록 배치된 이합체 단위들이 상기 R 이온에 의해 서로 분리되어 이격되게 배치된 결정 구조를 갖고, 1개의 이합체 단위는 3개의 R 이온과 결합된 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제2항에 있어서,상기 저항 변화층은 상기 제1 유무기 할로겐 화합물과 상기 제2 유무기 할로겐 화합물을 8:2 내지 6:4의 중량비율로 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제4항에 있어서, 상기 저항 변화층과 상기 제1 및 제2 전극 중 활성 전극 사이에 배치되고 상기 저항 변화층의 표면을 캡핑하는 캡핑층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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제8항에 있어서, 상기 캡핑층은 2 내지 10nm의 두께를 갖는 PMMA 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는, 멤리스터 소자
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서로 교차하는 방향으로 연장되된 제1 신호라인과 제2 신호라인; 및상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인이 중첩하는 영역에서 이들 사이에 배치되고, 서로 직렬로 연결된 메모리 셀과 선택 소자를 포함하고,상기 메모리 셀은 상기 제1 신호라인과 상기 제2 신호라인 중 하나와 전기적으로 연결된 제1 전극, 상기 선택 소자와 전기적으로 연결된 제2 전극 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 저항 변화층을 포함하고,상기 저항 변화층은 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치되고, 2-D 층상 구조의 결정 구조를 갖는 제1 유무기 할로겐 화합물과 0-D 헥사고날 이합체(dimer) 결정구조를 갖는 제2 유무기 할로겐 화합물의 혼합물로 형성되어 내부에 상기 제1 유무기 할로겐 화합물과 상기 제2 유무기 할로겐 화합물 사이의 벌크 헤테로 접합(bulk hetero-junction)이 형성된 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 소자
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제10항에 있어서,상기 제1 유무기 할로겐 화합물은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하고, 상기 제2 유무기 할로겐 화합물은 하기 화학식 2의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 소자:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1 및 2에서, R은 +1가의 유기 양이온을 나타내고, M은 금속 양이온을 나타내고, X는 할로겐 음이온을 나타내며, x, y, z, a, b 및 c는 서로 독립적으로 -0
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제11항에 있어서, 상기 제1 유기 할로겐 화합물은 가상의 제1 중심 평면을 갖는 제1 층상 구조, 상기 제1 중심 평면과 평행하고 이격되게 위치하는 가상의 제2 중심 평면을 갖는 제2 층상 구조 및 상기 제1 층상 구조 및 상기 제2 층상 구조 사이에 배치되어 이들을 이격시키는 유기 이온들을 포함하는 결정구조를 갖고, 상기 제1 층상 구조는 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 제1 팔면체 단위들이 상기 제1 중심 평면에 중심면이 위치하고 인접하게 배치된 제1 팔면체 단위들이 1개의 면을 공유하도록 배치된 구조를 가지고, 상기 제2 층상 구조는 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 제2 팔면체 단위들이 상기 제2 중심 평면에 중심면이 위치하고 인접하게 배치된 제2 팔면체 단위들이 1개의 면을 공유하도록 배치된 구조를 가지고, 상기 제2 층상 구조를 상기 제2 중심 평면에 평행한 회전축을 기준으로 180°회전하는 경우, 상기 제2 층상 구조는 상기 제1 층상 구조와 동일한 구조를 가지며, 상기 제2 유무기 할로겐 화합물은 1개의 M 이온을 6개의 X 이온들이 둘러싸도록 배치된 팔면체 단위 2개가 1개의 면을 공유하도록 배치된 이합체 단위들이 상기 R 이온에 의해 서로 분리되어 이격되게 배치된 결정 구조를 갖고, 1개의 이합체 단위는 3개의 R 이온과 결합된 것을 특징으로 하는, 뉴로모픽 소자
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