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a) 기판 상에 패턴화된 탄소재 전극을 형성하는 단계;b) 상기 패턴화된 탄소재 전극이 형성된 기판 상에 자기조립 물질을 도포하는 단계; 및c) 상기 패턴화된 탄소재 전극에 전압을 인가하여 전기장을 유도하고, 열처리하여 자기조립된 자기조립 물질 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 전기장의 크기는 1 내지 100 V/um인, 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 자기조립 물질은 블록공중합체인, 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 3항에 있어서,상기 블록공중합체는 수평균분자량 20 내지 1000 kg/mol의 제1블록공중합체와 수평균분자량 3 내지 15 kg/mol의 제2블록공중합체의 혼합물인, 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 4항에 있어서,상기 제1블록공중합체: 제2블록공중합체의 중량비는 50 내지 95 : 50 내지 5인, 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 탄소재 전극의 탄소재는 그래핀(graphene), 그래핀 산화물(graphene oxide) 및 환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide)에서 선택되는 어느 하나 또는 둘 이상인, 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 1항에 있어서,상기 열처리는 150 내지 350℃로 수행되는, 자기조립 패턴의 형성 방법
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A) 기판 상에 자기조립 물질을 도포하는 단계; B) 상기 자기조립 물질 상에 패턴화된 탄소재 전극을 형성하는 단계;C) 상기 패턴화된 탄소재 전극에 전압을 인가하여 전기장을 유도하고, 열처리하여 자기조립된 자기조립 물질 패턴을 형성하는 단계; 및D) 상기 패턴화된 탄소재 전극을 제거하는 단계;를 포함하는 자기조립 패턴의 형성 방법
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제 8항에 있어서,상기 패턴화된 탄소재 전극은 반응성 이온 에칭(RIE)을 통해 제거되는, 자기조립 패턴의 형성 방법
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