맞춤기술찾기

이전대상기술

박막성장구조, 박막성장방법 및 박막열처리방법

  • 기술번호 : KST2019002962
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형성에 관한 것이며, 보다 상세하게는 유동성지지층상의 베이스를 기판으로 하여 박막을 형성하는 구조와 방법에 관한 것이다. 본 발명의 박막성장구조는 유동성 지지층(supporting liquid), 상기 유동성 지지층의 상부 표면에 놓여진 베이스(base)와 상기 베이스 상에 성장되는 박막(thin film)으로 이루어진다.
Int. CL H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) C30B 29/06 (2006.01.01) C30B 25/12 (2006.01.01) C30B 25/06 (2006.01.01) C30B 25/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020180113423 (2018.09.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0035552 (2019.04.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020170124264   |   2017.09.26
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.21)
심사청구항수 3

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이인환 서울특별시 성북구
2 이원욱 전라북도 전주시 완산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2018-0944142-85
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.04.30 수리 (Accepted) 9-1-2019-0020523-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0649667-26
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2019-1129236-97
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.05 수리 (Accepted) 1-1-2019-1257749-10
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2019-1353423-72
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2020-0081591-66
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2020.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0014287-24
11 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0112035-19
12 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0112056-78
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0161270-70
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.14 수리 (Accepted) 1-1-2020-0161218-16
15 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2020.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0501952-22
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2020-0831226-53
17 [지정기간단축]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
2020.09.08 무효 (Invalidation) 1-1-2020-0949062-40
18 보정요구서
Request for Amendment
2020.09.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0134088-26
19 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2020.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0144588-22
20 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2020.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2020-1069630-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유동성 지지층;상기 유동성 지지층의 상부 표면에 놓여진 베이스;와상기 베이스 상에 성장되는 박막;으로 이루어지는 박막성장구조
2 2
제1항에 있어서, 상기 유동성 지지층이 Ga 또는 In 또는 Ga 과 In의 합금 또는 Ga이나 In 중 어느 하나가 포함된 합금 또는 고분자 또는 이온성 액체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막성장구조
3 3
제1항에 있어서,상기 유동성 지지층이 공정온도 범위에서는 증기압이 낮고 액체 상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
4 4
제1항에 있어서,상기 베이스가 그래핀층 혹은 그래핀조각으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막성장구조
5 5
제1항에 있어서, 상기 베이스가 2차원 물질인 것을 특징으로 하는 박막성장구조
6 6
유동성 지지층의 상부 표면에 놓여진 베이스에 박막을 성장시키는 방법
7 7
유동성 지지층의 상부 표면에 놓여진 베이스에 박막을 성장시키고, 이를 유동성 지지층과 분리하여 박막을 열처리하는 방법
8 8
금속 포일 상에 형성된 그래핀을 준비하는 단계;상기 그래핀 상에 고분자를 코팅하는 단계;상기 코팅된 그래핀을 식각액에 넣어 포일을 식각하는 단계;상기 고분자층이 코팅된 그래핀을 증류수에 세척하는 단계;상기 증류수 위에 떠 있는 상기 고분자층이 코팅된 그래핀을 고체상태인 유동성지지층에 올려놓는 단계;상기 유동성 지지층위의 그래핀상의 고분자층를 제거하는 단계;와상기 그래핀 상에 박막을 성장시키는 단계를 포함하는박막성장방법
9 9
금속 포일 상에 형성된 베이스를 준비하는 단계;상기 베이스 상에 고분자를 코팅하는 단계;상기 코팅된 베이스를 식각액에 넣어 상기 금속포일을 식각하는 단계;상기 고분자층이 코팅된 베이스를 증류수에 세척하는 단계;상기 증류수 위에 떠 있는 상기 고분자층이 코팅된 베이스를 고체상태인 유동성지지층에 올려놓는 단계;상기 유동성 지지층위의 베이스 상의 고분자층를 제거하는 단계;상기 베이스 상에 박막을 성장시키는 단계;상기 박막에 점착성기판이 부착되는 단계;상기 점착성기판에 부착된 상기 박막과 상기 베이스를 분리시키는 단계; 상기 박막의 접착되지 않은 면을 열처리용 기판 상에 위치하고 가열하여 상기 점착성기판을 상기 박막으로부터 분리하는 단계; 상기 열처리용 기판 상에 놓여진 박막을 열처리하는 단계;와 상기 열처리용 기판과 박막을 분리하는 단계를 포함하는 박막의 결정상태를 바꾸는 방법
10 10
기판;기판 상에 형성된 유동성지지층:과상기 유동성지지층 상에 코팅된 그래핀 조각;을 포함하는 박막성장용 구조
11 11
제1기판에 유동성 지지층을 형성하는 단계; 그래핀 조각을 코팅하는 단계; 고온에서 박막을 형성하는 단계;상기 박막을 제1기판에서 분리하는 단계;와상기 분리된 박막을 제2기판에 전사하는 단계를 포함하는 박막성장방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.