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하면에 반도체소자 제조공정에 의해 50 내지 250 nm의 직경을 가지는 균일한 나노사이즈의 포어가 타공되고 10 nm 내지 5 μm의 두께를 갖도록 제조된 나노필터가 구비되고 제1액체가 담지될 수 있는, 상기 제1액체 내에 침지될 수 있는 제1전극을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 제1웰을 갖는 제1용기; 및상기 제1웰이 수용될 수 있고 제2액체가 담지될 수 있는 상기 제2액체 내에 침지될 수 있는 제2전극을 포함하는 하나 또는 둘 이상의 제2웰을 갖는 제2용기 포함하는, 핵산 추출 용기
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제1항에 있어서, 상기 제1액체는 증류수, 완충액, 또는 PCR 반응액인, 핵산 추출 용기
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제2항에 있어서,상기 제1전극은 전원공급장치의 양극에 연결되는, 핵산 추출 용기
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4
제2항에 있어서,상기 제2액체는 핵산 분자를 포함하는 시료인, 핵산 추출 용기
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5
제1항에 있어서,상기 제1액체는 핵산 분자를 포함하는 시료인, 핵산 추출 용기
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6
제4항 또는 제5항에 있어서,상기 핵산 분자를 포함하는 시료는 혈액, 혈청, 혈장, 소변, 땀, 눈물 또는 조직 또는 세포 파쇄액인, 핵산 추출 용기
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7
제4항에 있어서,상기 제2액체는 증류수, 완충액, 또는 PCR 반응액인, 핵산 추출 용기
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8
제1항에 있어서,상기 제2전극은 전원공급장치의 음극에 연결되는, 핵산 추출 용기
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9
제1항에 있어서, 상기 나노필터는 실리콘 웨이퍼에 실리콘 나이트라이드 층을 증착한 후, 상기 증착된 실리콘 나이트라이드층에 감광물질을 도포하고, 원형 몰드로 각인(imprinting)함으로써 패턴을 형성한 다음 상기 패턴이 형성된 감광물질층에 대하여 노광 및 현상을 수행한 후 상기 실리콘 나이트라이드층에 대한 건식 에칭을 수행함으로써 제조되는, 핵산 추출 용기
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10
삭제
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제1항에 있어서,상기 나노필터의 소재는 반도체, 금속, 금속질화물, 반도체질화물, 금속황화물, 반도체황화물, 금속인화물, 반도체인화물, 금속비소화물, 반도체비소화물, 금속산화물, 또는 반도체산화물인, 핵산 추출 용기
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12
제1항에 있어서,상기 제1웰 및 상기 제2웰은 6웰, 12웰, 24웰, 48웰, 96웰, 192웰 또는 384웰로 구성되는, 용기
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13
반도체소자 제조공정에 의해 50 내지 250 nm의 직경을 가지는 균일한 나노사이즈의 포어가 타공되고 10 nm 내지 5 μm의 두께를 갖도록 제조된 나노필터를 경계로 구분된 두 구획에 각각 추출대상이 되는 핵산 분자를 포함하는 시료를 포함하는 제1액체 및 추출 후의 핵산분자를 담지하기 위한 제2액체를 위치시키는 단계;상기 제1액체 및 상기 제2액체에 각각 음극 및 양극 전극을 담지시키는 단계;상기 음극 및 양극 전극에 직류전원을 연결하여 0
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제13항에 있어서,상기 제1액체는 혈액, 혈청, 혈장, 소변, 땀, 눈물 또는 조직 또는 세포 파쇄액인, 방법
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제13항에 있어서,상기 제2액체는 증류수, 완충액, 또는 PCR 반응액인, 방법
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제13항에 있어서,상기 나노필터의 소재는 반도체, 금속, 금속질화물, 반도체질화물, 금속황화물, 반도체황화물, 금속인화물, 반도체인화물, 금속비소화물, 반도체비소화물, 금속산화물, 또는 반도체산화물인, 방법
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