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1
하기 [화학식 1]로 표시되는 제1고분자; 및하기 [화학식 2]로 표시되는 제2고분자를 포함하는 첨가제;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 트리아졸(triazole)계 화합물은 하기 [화학식 3]으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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3
제1항에 있어서,상기 고분자 전해질막은 제1고분자 100중량부에 대하여, 제2고분자를 포함하는 첨가제 1 ~ 10중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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제1항에 있어서,상기 Ar1 및 Ar2는 하기 [화학식 1a] 내지 [화학식 6a] 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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5
제1항에 있어서,상기 ECM(Ending Crosslinkable Moiety)은 하기 [화학식 7a] 또는 [화학식 8a]인 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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6
제5항에 있어서,상기 R5 및 R6는 각각 독립적으로 하기 [화학식 9a] 내지 [화학식 11a] 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막
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7
(a) 하기 [화학식 1]로 표시되는 제1고분자를 제조하는 단계; 및(b) 하기 [화학식 2]로 표시되는 제2고분자를 포함하는 첨가제를 제조하는 단계; (c) 상기 제1고분자와 제2고분자를 포함하는 첨가제를 혼합하여 제3고분자를 제조하는 단계; 및(d) 지지체 상에 제3고분자를 도포한 후 경화하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 제조 방법
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8
제7항에 있어서,상기 (b) 단계는(b1) 하기 [화학식 12a] 및 [화학식 13a]에서 선택되는 단량체, 및 하기 [화학식 14a] 및 [화학식 15a]에서 선택되는 단량체를 공중합시켜 폴리아릴렌 에테르 술폰(poly(arylene ether sulfone))을 제조하는 단계; 및(b2) 상기 폴리아릴렌 에테르 술폰(poly(arylene ether sulfone))에 순차적으로 브롬화(bromidation) 반응, 아지도화(azidation) 반응 및 클릭(click) 반응을 수행하는 단계;를 포함하고,상기 클릭(click) 반응에서 [화학식 16a]로 표시되는 화합물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 (a) 단계는 축중합 반응을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고분자 전해질막의 제조 방법
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