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n-형 반도체 기판;상기 n-형 반도체 기판 상에 형성된 발광 구조체층; 및상기 발광 구조체층 상에 형성된 p-형 반도체층;을 포함하고, 상기 발광 구조체층은, In 및 Ga을 포함하는 활성층이 상부에 형성된 발광 구조체의 배열을 포함하고, 상기 발광 구조체층은, 각각이 단일 또는 복수 개의 발광 구조체를 포함하며, 둘 이상의 다른 파장의 빛을 발광하는 적어도 셋 이상의 구분되는 영역들을 형성하고,상기 구분되는 영역들 각각은 개별적으로 발광 제어가 가능하고, 상기 구분되는 영역들은, 각 영역을 구성하는 상기 발광 구조체의 밑면의 크기, 발광 구조체의 높이, 발광 구조체의 중심 간의 간격 중 적어도 한 개가 서로 상이한 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역을 구성하는 발광 구조체의 높이는,장파장의 빛을 발광하는 영역을 구성하는 발광 구조체 일수록 큰 값을 가지는 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역을 구성하는 발광 구조체 각각의 중심 간의 간격은,장파장의 빛을 발광하는 영역 일수록 큰 값을 가지는,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은 상기 활성층 내의 In-마이그레이션(migration) 정도가 상이한 것이고, 상기 구분되는 영역들은 제1 영역 내지 제3 영역을 형성하고, 상기 제1 영역 내지 제3 영역의 발광 구조체 상의 상기 활성층 내의 In-마이그레이션(migration) 정도는, 제1 영역 003e# 제2 영역 003e# 제3 영역인 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은 상기 활성층 내의 Ga 대비 In의 평균 농도가 서로 상이한 것이고, 상기 구분되는 영역들의 발광 구조체 상의 상기 활성층 내 Ga 대비 In의 평균 농도의 비는, 장파장의 빛을 발광하는 영역일 수록 높은 값을 가지는 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들 각각은 전극과 개별적으로 연결된 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들의 발광구조체 상의 상기 활성층의 평균 두께는,장파장의 영역일 수록 큰 값을 가지는 마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들 각각의 발광 구조체들은 높이, 형태, 면적 중 하나 이상이 서로 상이한 것이며, 단일 공정 과정을 통해 모두 동시에 성장된 것인, 마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은, 상기 발광구조체의 간격이 50 nm 내지 100 ㎛ 인 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은,상기 발광 구조체의 높이가 50 nm 내지 50 ㎛인 것인마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 구분되는 영역들은 둘 이상의 서로 다른 파장을 가지는 적어도 세 개의 영역을 형성하고,상기 발광 구조체는, 원뿔; 다각형뿔; 원기둥; 다각형 기둥; 원형의 링; 다각형의 링; 반구; 평평한 상부를 갖도록 끝이 잘린 형태의 원뿔, 다각형뿔, 원형의 링 및 다각형의 링 형태; 실리던 형태의 중공 함몰부를 포함하는 원뿔, 다각형뿔 및 다각형 기둥; 및 라인(line) 형태의 기둥; 의 구조체들 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 활성층은 BAlGaN, GaAlNP, GaAlNAs, InAlGaN, GaAlNSb, GaInNP, GaInNAs, 및 GaInNSb 중 적어도 하나 이상을 더 포함하는 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항에 있어서,상기 활성층은 초격자층(super lattice layer)을 더 포함하는 것인,마이크로 LED 구조체
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제1항의 마이크로 LED 구조체를 포함하는, 컬러 마이크로 LED 디스플레이
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하부 기판 상에 n-형 반도체층을 형성하는 단계;상기 n-형 반도체층 상에 마스크층을 형성하는 단계;상기 마스크층에 각각 단일 또는 복수 개의 개구 패턴을 포함하되, 개구 패턴의 간격, 크기 또는 둘 다가 서로 상이하여 서로 구분되는 적어도 셋 이상의 영역을 패터닝하는 단계;상기 각각의 구분되는 영역의 마스크층 개구 패턴 상에 개방된 n-형 반도체층 위로 서로 다른 둘 이상의 파장을 발광하도록 서로 구분되는 적어도 셋 이상의 영역을 포함하는 발광 구조체층을 성장시키는 단계; 상기 성장된 발광 구조체층 상에 In 및 Ga을 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조체층 상에 p-형 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 발광 구조체층의 서로 구분되는 적어도 셋 이상의 영역 각각과 개별적으로 전기적 연결이 형성되도록 전극을 형성하는 단계; 를 포함하는,마이크로 LED의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 개구 패턴은 원형, 라인형 및 다각형 형상 중 적어도 하나 이상을 포함하고,상기 개구 패턴은 형상, 크기, 깊이 및 패턴간의 간격 중 하나 이상이 서로 다른 복수 개의 구분되는 영역을 포함하는 것이고,상기 개구 패턴의 구분되는 영역에 따라, 상기 발광 구조체층의 복수 개의 구분되는 영역들이 생성되는 것인, 마이크로 LED 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 구분되는 영역들은, 상기 개구의 중심 간의 간격이 50 nm 내지 100 ㎛인 것인,마이크로 LED 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 개구는 50 nm 내지 50 ㎛의 직경을 갖는 것인,마이크로 LED 구조체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 발광 구조체층을 성장시키는 단계 및 상기 활성층을 형성하는 단계는 300 ℃ 내지 1200 ℃ 및 50 torr 내지 500 torr에서 이루어지는 것인,마이크로 LED 구조체의 제조방법
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