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제1 편광 의존성을 갖는 제1 슬래브 도파로(slab waveguide);상기 제1 편광 의존성과 다른 제2 편광 의존성을 갖는 리브(rib) 도파로; 및상기 제1 슬래브 도파로의 일측에 광연결되는 입력 도파로를 포함하되,상기 리브 도파로들은 상기 슬랩 도파로의 타측에 광연결되고,상기 제1 편광 의존성과 상기 제2 편광 의존성은 서로 반대되는 방향 및 서로 동일한 크기를 갖는 배열 도파로 격자
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제 1 항에 있어서,상기 리브 도파로의 각각의 종횡비는 상기 배열 도파로들의 상기 제2 편광 의존성이 상기 제1 편광 의존성을 상쇄시키도록 정의되는 배열 도파로 격자
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제 2 항에 있어서,TE모드(Transverse Electric Mode)를 갖는 제1 광 및 TM모드(Transverse Magnetic Mode)를 갖는 제2 광이 상기 제1 슬래브 도파로와 상기 리브 도파로를 지날 때, 상기 제1 광에 대한 상기 제1 슬래브 도파로의 유효 굴절률과 상기 제2 광에 대한 상기 제1 슬래브 도파로의 유효 굴절률의 차이와, 상기 제2 광에 대한 상기 리브 도파로의 유효 굴절률과 상기 리브 도파로의 상기 제2 광에 대한 유효 굴절률의 차이는 동일한 배열 도파로 격자
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제 3 항에 있어서,상기 제2 광에 대한 상기 제1 슬래브 도파로의 군 굴절률과 상기 제1 광에 대한 상기 제1 슬래브 도파로의 군 굴절률 차이는, 상기 제1 광에 대한 상기 리브 도파로의 군 굴절률과 상기 제2 광에 대한 상기 리브 도파로의 군 굴절률의 차이와 동일한 배열 도파로 격자
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제 2 항에 있어서,상기 제1 슬래브 도파로는 Si3N4를 포함하고,상기 제1 슬래브 도파로의 두께는 0
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제 5 항에 있어서,상기 리브 도파로는 Si3N4를 포함하고,상기 리브 도파로의 종횡비는 0
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제 1 항에 있어서,하부 클래드 층; 및상부 클래드 층을 더 포함하되,상기 제1 슬래브 도파로, 상기 리브 도파로, 및 상기 입력 도파로는 상기 하부 클래드 층 및 상기 상부 클래드 층 사이에 배치되는 배열 도파로 격자
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제 7 항에 있어서,상기 리브 도파로는 복수 개로 제공되고,상기 복수 개의 리브 도파로들은 상기 하부 클래드 층의 상면에 평행한 방향으로 서로 이격되고,상기 복수의 리브 도파로들의 종횡비들은 서로 동일한 배열 도파로 격자
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제 8 항에 있어서,상기 하부 클래드 층 및 상기 상부 클래드 층은 SiO2를 포함하는 배열 도파로 격자
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제 8 항에 있어서,제2 슬래브 도파로; 및상기 제2 슬래브 도파로에 광 연결되는 출력 도파로를 더 포함하되,상기 복수의 리브 도파로들의 각각의 일 단부는 상기 제1 슬래브 도파로에 광 연결되고, 상기 복수의 리브 도파로들의 각각의 다른 단부는 상기 제2 슬래브 도파로에 광 연결되는 배열 도파로 격자
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