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파필드 응답을 이용한 칩 규모 광 위상배열 안테나의 위상 천이기 특성 평가 방법

  • 기술번호 : KST2019005381
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 chip-scale의 광 위상 배열 안테나를 구성하는 위상 천이기에 대한 인가 전압 변화에 대한 위상 응답 특성 평가를 위해 창안된 것으로, 개별 안테나의 전압-응답 위상에 대한 관계 규명을 통해 연속적이고 직관적인 광 위상 배열 안테나의 빔 스티어링을 수행하는 데 그 목적이 있다.
Int. CL H01Q 3/26 (2006.01.01) G02B 26/08 (2006.01.01)
CPC H01Q 3/2676(2013.01) H01Q 3/2676(2013.01)
출원번호/일자 1020170150810 (2017.11.13)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0054486 (2019.05.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤찬현 대전광역시 유성구
2 하윤기 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2017.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2017-1125960-62
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
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번호 청구항
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본 발명의 적용 대상인 chip-scale의 광 위상 배열 안테나의 개별 채널의 출력 광에 대한 위상 정보에 대한 추적이 불가능하고 인가 전압에 대한 배열 안테나의 far-field 합성 출력에 대한 정보만을 획득할 수 있는 환경에서,(a)지정된 위치에 대해 고에너지의 빔 형상을 합성하는 Brute-force hill climbing기반 전압 벡터 탐색하는 단계와,(b)개별 위상 천이기의 전압-합성 응답 분석을 바탕으로 한 특성 평가하는 방법을 포함하는방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 국방부 한국과학기술원 민군겸용연구사업 라이다용 2-D Nano-photonic phased array 기반 전기식 위상제어 빔포밍 광소자 연구