| 1 |
1
광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법에 있어서,상기 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 상기 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성하는 단계;상기 나노 메탈 안테나의 전자 빔(E-Beam) 공정을 위한 전자 빔 키(E-Beam Key)를 형성하는 단계; 및상기 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계를 포함하되,상기 전자 빔 키를 형성하는 단계는매립형 산화물(buried oxide; BOX) 층 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si) 상에, 반사방지막(BARC) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계; 상기 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역을 오픈(open)하는 단계;건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 양측 영역에 따른 상기 탑 실리콘의 일부를 식각하는 단계; 및상기 반사방지막 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하며,상기 전자 빔 키는광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성되고, 상기 형성된 캐비티에 수직 형상으로 형성되며,상기 나노 메탈 안테나는캐비티(cavity)를 포함한 상기 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 탑 실리콘(Top Si) 상에 나노 금속 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 광 도파로는Rib형 및 channel형 중 적어도 어느 하나의 도파로 구조로 제작되는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 캐비티를 형성하는 단계는상기 웨이퍼 상에 불화크립톤(KrF) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈(open)하는 단계; 상기 일정 영역에 대응하는 상기 웨이퍼 내 산화물(Oxide) 층을 식각하는 단계; 및상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 일정 영역을 오픈하는 단계는불화크립톤 스캐너(KrF Scanner)를 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 위치에서의 상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 8 |
8
제6항에 있어서,상기 웨이퍼 내 산화물 층을 식각하는 단계는건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층의 일부분을 식각하고, 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층을 모두 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 9 |
9
제6항에 있어서,상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계는상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하고, 화학물질(Chemical)을 이용하여 상기 웨이퍼를 클리닝(Cleaning)하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 10 |
10
제1항에 있어서,상기 캐비티를 형성하는 단계는건식식각 및 습식식각의 식각 공정을 통해 상기 웨이퍼 내 상기 일정 영역에서의 탑 실리콘(Top Si)을 오픈(open)하여 상기 캐비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 11 |
11
제1항에 있어서,상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는상기 캐비티를 포함한 웨이퍼(Wafer) 상에 전자 빔(EBeam) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;전자 빔(EBeam)을 이용하여 상기 전자 빔 포토레지스트 내 안테나 형성 영역을 오픈(open)하는 단계;상기 오픈된 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 나노 금속 물질을 증착하는 단계; 및상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서,상기 안테나 형성 영역을 오픈하는 단계는상기 전자 빔을 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 탑 실리콘(Top Si) 상의 위치에서의 상기 전자 빔 포토레지스트 내 상기 안테나 형성 영역을 오픈하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 13 |
13
제11항에 있어서,상기 나노 금속 물질을 증착하는 단계는상기 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 상기 나노 금속 물질을 증발(Evaporation) 또는 스퍼터(Sputter)로 증착하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 나노 금속 물질은금(Au) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 15 |
15
제11항에 있어서,상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는아세톤(Acetone) 또는 전자 빔 포토레지스트 리무버(Remover)가 담긴 용기에 상기 웨이퍼를 침지시켜 상기 웨이퍼 상의 상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 16 |
16
제15항에 있어서,상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는상기 전자 빔 포토레지스트의 제거 후, 용제 세정 화학물질(Solvent Cleaning Chemical)을 이용하여 클리닝(Cleaning)하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 17 |
17
제1항에 있어서,상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는상기 캐비티를 포함한 웨이퍼 내 상기 안테나 형성 영역에서의 탑 실리콘(Top Si) 상에 상기 나노 금속 물질을 증착하여 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법
|
| 18 |
18
삭제
|
| 19 |
19
적어도 하나 이상으로 구성된 광원;상기 광원으로부터 발생되는 광파를 분배하는 광 파워 분배기;상기 광파가 분배됨에 따라 상기 광파의 위상을 제어하는 위상 제어기; 및상기 제어된 위상에 기초하여 상기 광파를 공간으로 발산하는 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 포함하고,상기 나노 메탈 안테나에 수직 형상으로 형성되며, 광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성된 전자 빔 키를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 전자 빔 키는 매립형 산화물(buried oxide; BOX) 층 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si) 상에, 반사방지막(BARC) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계; 상기 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역을 오픈(open)하는 단계;건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 양측 영역에 따른 상기 탑 실리콘의 일부를 식각하는 단계; 및상기 반사방지막 포토레지스트를 제거하는 단계에 의해 형성되고, 상기 나노 메탈 안테나는캐비티(cavity)를 포함한 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 탑 실리콘(Top Si) 상에 나노 금속 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자
|
| 20 |
20
삭제
|
