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다공성 구조의 촉매 재료 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019006081
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 기판상에 금속 및 탄소를 동시에 증착하는 동시증착단계, 및 상기 동시 증착된 금속 및 탄소 중 산소 플라즈마 처리를 통해 탄소만을 선택적으로 제거하는 선택적 제거단계를 포함하는 촉매 재료용 다공성 금속 박막의 제조방법이 제공된다.
Int. CL C23C 14/58 (2006.01.01) C23C 14/14 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 14/35 (2006.01.01) C23C 14/00 (2018.01.01) C23C 16/56 (2006.01.01) C23C 16/06 (2006.01.01) C23C 16/26 (2006.01.01) B01J 37/02 (2006.01.01) B01J 37/34 (2006.01.01) B01J 35/10 (2006.01.01)
CPC C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)C23C 14/5873(2013.01)
출원번호/일자 1020170156910 (2017.11.23)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2019-0059368 (2019.05.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한승희 서울특별시 성북구
2 장성우 서울특별시 성북구
3 황세훈 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 티앤아이 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2017-1166698-09
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0554447-94
3 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2020.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0005493-76
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번호 청구항
1 1
기판상에 금속 및 탄소를 동시에 증착하는 동시증착단계; 및상기 동시 증착된 금속 및 탄소 중 산소 플라즈마 처리를 통해 탄소만을 선택적으로 제거하는 선택적 제거단계;를 포함하는 다공성 금속 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 동시증착단계는 불활성 가스와 탄화수소 가스가 혼합하여 인입되며, 상기 불활성 가스와 탄소수소 가스의 유량비를 조절하여, 증착되는 금속과 탄소의 조성비를 조절하는 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 오스뮴(Os), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 코발트(Co), 아연(Zn), 텅스텐(W), 마그네슘(Mg), 붕소(B), 알루미늄(Al), 인듐(In), 주석(Sn), 실리콘(Si), 저마늄(Ge), 인(P), 비소(As), 란타넘(La), 악티늄(Ac)으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 하나 이상 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 탄소를 공급하기 위한 원료로는 메탄(CH4), 아세틸렌(C2H2), 에틸렌(C2H4), 에탄(C2H6), 프로펜(C3H6), 프로판(C3H8)을 포함하는 탄화수소 기체로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 동시증착단계는 스퍼터링(sputtering), 이온빔 보조 증착법(ion beam assisted deposition), 전자빔 증발법(e-beam evaporation), 열 증발법(thermal evaporation) 또는 화상 기상 증착법(chemical vapor deposition) 중 하나의 방법을 사용하여 기판상에 금속 및 탄소를 증착하는 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 선택적 제거단계의 산소 플라즈마 처리는 ICP(Inductively Coupled Plasma), CCP(Capacitively coupled plasma) 및 ECR(Electron cyclotron resonance) 방식 중 선택된 어느 하나의 방법에 의해 산소 가스를 플라즈마화 하여 탄소를 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막의 제조방법
7 7
제1항 내지 제 6항 중 어느 하나의 제조방법에 의해 제조된 다공성 금속 박막
8 8
제7항에 있어서, 기공의 평균 직경이 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 다공성 금속 박막
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 ㈜에이플어스 중소기업기술혁신개발사업 NF3 플라즈마 이온주입용 고전압 펄스 발생장치 개발