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그래핀층; 상기 그래핀층상에 위치하는 제1 유전체층; 상기 제1 유전체층상에 위치하는 나노안테나; 및 상기 나노안테나상에 위치하는 제2 유전체층을 포함하되,상기 그래핀층과 상기 제1 유전체층 사이의 계면에 생성되는 표면 플라즈몬 파를 통해 입사 빔을 전파시키며, 상기 나노안테나에 입사되는 펌프 빔에 의해 상기 나노안테나와 제2 유전체층 사이의 계면에 국소 표면 플라즈몬 공명을 발생시켜 상기 입사 빔의 세기를 선택적으로 감소시키도록 구성된 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항에 있어서,상기 펌프 빔이 입사되는 것에 의해, 상기 나노안테나와 상기 제2 유전체층 사이의 계면에서, 상기 제2 유전체층의 유전율을 양의 값에서 음의 값으로 변화시키도록 구성된 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항에 있어서,상기 그래핀층은 그래핀 또는 그래핀 산화물로 이루어진 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항에 있어서,상기 제1 유전체층은 육각 질화붕소로 이루어진 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항에 있어서,상기 제2 유전체층은 도핑된 실리콘 및 인듐주석산화물 중 하나 이상을 포함하여 이루어진 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항에 있어서,상기 제2 유전체층상에 위치하며 상기 제2 유전체층에 비해 높은 굴절율을 갖는 덮힘층을 더 포함하는 플라즈모닉 전광 스위치
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제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 따른 플라즈모닉 전광 스위치를 포함하는 전광 트랜지스터
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표면 플라즈몬 공명을 이용하여, 그래핀층과 제1 유전체층 사이의 계면을 통해 입사 빔을 전파시키는 단계; 및상기 제1 유전체층상에 위치하는 나노안테나에 선택적으로 펌프 빔을 입사시킴으로써, 상기 나노안테나와 제2 유전체층 사이의 계면에 국소 표면 플라즈몬 공명을 발생시켜 상기 입사 빔의 세기를 감소시키는 단계를 포함하는 광 제어 방법
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제 8항에 있어서,상기 입사 빔의 세기를 감소시키는 단계는, 상기 펌프 빔에 의하여, 상기 나노안테나와 상기 제2 유전체층 사이의 계면에서 상기 제2 유전체층의 유전율을 양의 값에서 음의 값으로 변화시키는 단계를 포함하는 광 제어 방법
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