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기판; 상기 기판 상에 구비된 반도체활성층; 상기 기판 상에 구비되며, 상기 반도체활성층의 양측부에 각각 접촉하는 소스전극, 드레인전극; 상기 반도체활성층, 소스전극 및 드레인전극을 포함한 기판 전면 상에 구비된 게이트절연막; 상기 게이트절연막에 구비되는 게이트전극; 및 상기 게이트절연막 상에 구비되어, 분석대상시료과 게이트전극의 접촉 공간을 제공하는 시료유출입 구조물을 포함하여 이루어지며, 상기 게이트전극은 은 나노선(Ag nanowire)이 적층된 구조인 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 시료유출입 구조물은 게이트전극이 구비된 공간을 외부 환경과 격리시키며, 일측에 분석대상시료가 유입되는 시료유입구가 구비되고 다른 일측에 분석대상시료가 유출되는 시료유출구가 구비된 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 반도체활성층은 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, AlInZnO, ZnSnO, In2O3, HfInO, SnO2, InSnO, MgZnO 중 어느 하나의 산화물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트전극은 은 나노선이 적층된 다공성 박막 구조이며, 은 나노선 사이의 기공에 의해 게이트전극 하부의 게이트절연막이 노출되는 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리기판 또는 고분자기판인 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 소스전극 또는 드레인전극 측에 저항이 연결되어 저항성 부하 인버터(Resistive load inverter) 형태를 이루는 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서
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기판 상에 반도체활성층을 형성하는 단계; 상기 반도체활성층의 양측부에 각각 소스전극, 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 반도체활성층, 소스전극 및 드레인전극을 포함한 기판 전면 상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막 상에 은 나노선(Ag nanowire)을 적층하여 게이트전극을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연막 상에 시료유출입 구조물을 장착하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 반도체활성층은 InGaZnO, ZnO, ZrInZnO, InZnO, AlInZnO, ZnSnO, In2O3, HfInO, SnO2, InSnO, MgZnO 중 어느 하나의 산화물 반도체로 구성되는 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 시료유출입 구조물은 게이트전극이 구비된 공간을 외부 환경과 격리시키며, 일측에 분석대상시료가 유입되는 시료유입구가 구비되고 다른 일측에 분석대상시료가 유출되는 시료유출구가 구비된 것을 특징으로 하는 수소이온농도 센서 제조방법
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