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반도체 반응기용 금속모재를 NaOH 및 NaAlO2를 포함하는 알칼리 수용액성 전해액에 담지하는 단계; 및상기 금속모재에 전극을 연결하고 상기 전극에 전원을 공급하여, 플라즈마 전해 산화(plasma electrolytic oxidation, PEO)법으로 상기 금속모재 상에 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 금속모재는 알루미늄 합금을 포함하고,상기 전해액은 이트륨염을 더 포함하고,상기 코팅층은 내부에 알루미늄 산화막을 포함하고, 표면부에 알루미늄 산화물 및 이트륨 산화물의 복합산화막을 포함하고,상기 코팅층의 내부의 알루미늄 산화막 및 상기 코팅층의 표면부의 상기 복합산화막 내 알루미늄 산화물은 상기 플라즈마 전해 산화법으로 상기 코팅층을 형성하는 단계에서 상기 금속모재로부터 제공된 알루미늄이 전해 산화되어 형성된,반도체 반응기용 금속모재 상의 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 복합산화막은 알루미늄-이트륨 산화물을 더 포함하는, 반도체 반응기용 금속모재 상의 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 전해액은 이트륨염으로 Y(NO3)3를 포함하는, 반도체 반응기용 금속모재 상의 코팅층 형성방법
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제 1 항에 있어서, 상기 코팅층을 형성하는 단계에서, 플라즈마 전해 산화를 위해서 음전압 인가시간이 양전압 인가시간보다 큰 쌍극펄스 전류를 인가하는, 반도체 반응기용 금속모재 상의 코팅층 형성방법
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제 5 항에 있어서, 상기 코팅층을 형성하는 단계에서, 상기 쌍극펄스 전류의 음전류 밀도가 양전류 밀도보다 큰, 반도체 반응기용 금속모재 상의 코팅층 형성방법
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7
제 1 항 또는 제 3 항 내지 제 6 항의 어느 한 항에 있어서,상기 코팅층 내 구리(Cu) 및 규소(Si)의 함량을 낮추기 위해서, 상기 금속모재는 0
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8
제 7 항에 있어서, 상기 코팅층 내 마그네슘(Mg)의 함량을 높이기 위해서, 상기 알루미늄 합금은 0
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제 8 항에 있어서, 상기 알루미늄 합금은 0
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10
금속모재; 및상기 금속모재 상에 플라즈마 전해 산화(plasma electrolytic oxidation, PEO)법으로 형성된 코팅층을 포함하고,상기 코팅층은 상기 금속모재를 NaOH 및 NaAlO2를 포함하는 알칼리 수용액성 전해액에 담지한 상태에서 상기 금속모재에 전극을 연결하고 상기 전극에 전원을 공급하여, 플라즈마 전해 산화(plasma electrolytic oxidation, PEO)법으로 형성되고, 상기 금속모재는 알루미늄 합금을 포함하고,상기 전해액은 이트륨염을 더 포함하고,상기 코팅층은 내부에 알루미늄 산화막을 포함하고, 표면부에 알루미늄 산화물 및 이트륨 산화물의 복합산화막을 포함하고,상기 코팅층의 내부의 알루미늄 산화막 및 상기 코팅층의 표면부의 상기 복합산화막 내 알루미늄 산화물은 상기 플라즈마 전해 산화법으로 상기 코팅층을 형성하는 단계에서 상기 금속모재로부터 제공된 알루미늄이 전해 산화되어 형성된,반도체 반응기
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제 10 항에 있어서, 상기 복합산화막은 알루미늄-이트륨 산화물을 더 포함하는, 반도체 반응기
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제 10 항에 있어서, 상기 알루미늄 합금은 0
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제 10 항에 있어서, 상기 알루미늄 합금은 0
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제 10 항에 있어서, 상기 코팅층의 두께는 20 내지 100㎛ 범위인, 반도체 반응기
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