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굴곡진 금속 나노와이어 네트워크 박막, 이를 포함하는 신축성 투명전극 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019011232
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크 박막, 이를 포함하는 신축성 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 직선 형태의 금속 나노와이어를 기반으로 물결 무늬의 굴곡진(wavy) 형태를 갖는 나노와이어 네트워크 구조체 및 이의 제조방법이 개시되며, 이렇게 기재 위에 굴곡진 금속 나노와이어 구조를 형성하고, 이를 통해 다양한 변형에도 안정적인 성능을 보이는 투명하면서도 신축성이 있는 유연 전극에 활용 가능하다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 3/30 (2006.01.01) H01B 3/42 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020170082672 (2017.06.29)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1926034-0000 (2018.11.30)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190226) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.06.29)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손정곤 대한민국 서울특별시 성북구
2 이상수 대한민국 서울특별시 성북구
3 김희숙 대한민국 서울특별시 성북구
4 박종혁 대한민국 서울특별시 성북구
5 배완기 대한민국 서울특별시 성북구
6 권효원 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0625854-91
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2017.10.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2017.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2017-0038074-35
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0250524-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.06.08 수리 (Accepted) 1-1-2018-0561793-59
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2018.06.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2018-0561792-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2018.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0729233-45
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.11.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-1091761-86
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.11.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-1091762-21
10 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0807586-54
11 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2019.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-5005045-14
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번호 청구항
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(a) 신축성 기재를 인장하는 단계;(b) 상기 인장된 기재 상에 금속 나노와이어 네트워크를 형성하는 단계;(c) 상기 기재 상에 형성된 금속 나노와이어 네트워크 및 용매를 접촉시키는 단계; 및(d) 상기 금속 나노와이어 네트워크 및 용매가 접촉된 상태에서 기재에 가해진 인장을 풀어주는 단계;를 포함하는 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크 박막의 제조방법으로서,상기 용매는 표면장력이 20 내지 85 J/m2이고,상기 신축성 기재는 폴리디메틸실록산이며,상기 금속은 Ag이며,상기 용매는 물이며,상기 (a) 단계는 신축성 기재를 수평 인장하는 것이며,상기 (a) 단계는 신축성 기재의 초기 면적에 비해 130 내지 170%가 되도록 인장함으로써 수행되며,상기 (b) 단계는 기재 상에 기 제조된 나노와이어 네트워크를 전사하여 형성하며,상기 (c) 단계는 기재 상에 용매를 드롭 방식으로 접촉시켜 수행되며,상기 (d) 단계는 0
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제3항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 유기물, 무기물 또는 이들의 혼합물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 굴곡진 금속 나노와이어 네트워크 박막의 제조방법
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2 US20190006061 US 미국 FAMILY

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1 미래창조과학부 한국과학기술연구원 글로벌프론티어지원 나노카본 기반 소프트 전도체 개발