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마이크로플루이딕 채널에서 전해질고분자 흡착층의 해석 방법 및 장치

  • 기술번호 : KST2019011308
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 마이크로플루이딕 채널에 전해질고분자를 포함하는 액체를 흘릴 때, 고분자 브러쉬에 의해 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층의 정확한 두께를 산출하는 방법과 장치에 대한 것이다. 본 기술의 핵심은, 고가의 장비가 필요한 종전의 방식 대신에, 다양한 분자량 및 농도로 분산된 전해질고분자를 포함하는 액체에 대해 측정된 점도로부터 계산된 평균유속과 직접 측정된 평균유속과의 상대오차를 최소화하는 반복계산으로부터 전해질고분자 흡착층의 정확한 두께를 신속하고 간편하게 산출함에 있다.
Int. CL G01N 27/447 (2006.01.01) G06F 17/10 (2006.01.01) G01N 11/04 (2006.01.01)
CPC G01N 27/44791(2013.01) G01N 27/44791(2013.01) G01N 27/44791(2013.01)
출원번호/일자 1020170148187 (2017.11.08)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1950771-0000 (2019.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190221) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2017.11.08)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전명석 대한민국 서울특별시 성북구
2 전병진 대한민국 서울특별시 강서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2017.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-1109261-91
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2018.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0770823-24
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0041816-04
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-0041815-58
5 등록결정서
Decision to grant
2019.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0106283-62
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번호 청구항
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마이크로플루이딕 채널에 전해질고분자(polyelectrolyte)를 포함하는 액체를 흘려서 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법에 있어서,채널 벽면에 형성된 전해질고분자 흡착층 내의 전해질고분자간 평균 거리 산출 단계;전해질고분자 흡착층의 초기 두께 산출 단계;전해질고분자 흡착층에서의 전해질고분자 농도분포 모델 선택 단계;액체의 유량과 평균유속 계산 단계; 및반복 계산을 통한 전해질고분자 흡착층의 두께 산출 단계;를 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제1항에 있어서,상기 채널 벽면에 형성된 전해질고분자 흡착층 내의 전해질고분자간 평균 거리 산출 단계에서는,벌크에서의 전해질고분자 농도가 그대로 마이크로플루이딕 채널 표면에 흡착되고 전해질고분자 주위에는 원형의 단위영역에 설정됨을 나타내는 하기 수학식 1에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제1항에 있어서,상기 전해질고분자 흡착층의 초기 두께 산출 단계는 하기 수학식 2에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제1항에 있어서,상기 전해질고분자 흡착층에서의 전해질고분자 농도분포 모델 선택 단계는 균일 농도 모델, 2차함수 농도 모델 및 3차함수 농도 모델로 구성되는 농도분포 모델 군에서 어느 하나를 선택할 수 있고,각 농도 모델은 공통적으로 채널 벽면부터 전해질고분자 흡착층 두께인 h까지의 구간에 대해 적분하면 1을 갖도록 정규화(normalization) 되어 있고, 채널 벽면에서 h보다 멀리 떨어진 전해질고분자 흡착층 이외의 영역에서는 0이 되는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제4항에 있어서,상기 균일 농도 모델은 하기 수학식 3에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
6 6
제4항에 있어서,상기 2차함수 농도 모델은 하기 수학식 4 내지 6에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제4항에 있어서,상기 3차함수 농도 모델은 하기 수학식 7 내지 9에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제1항에 있어서,상기 액체의 유량과 평균유속 계산 단계는 전해질고분자 흡착층 두께의 초기 산출값을 갖는 길이가 L인 사각 채널에 압력차 ΔP에 의해 전해질고분자 용액이 u의 속도로 흐르는 경우의 정상상태에 대한 하기 수학식 10에 따른 산출방법을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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제1항에 있어서,상기 반복 계산을 통한 전해질고분자 흡착층의 두께 산출 단계는 상기 액체의 유량과 평균유속 계산 단계를 통해 얻어진 평균유속과 실제 측정된 평균유속간의 오차가 허용오차보다 작아질 때까지 반복 시행하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출방법
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마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출을 위하여, 길이가 L인 사각 채널에 압력차 ΔP에 의해 전해질고분자 용액이 u의 속도로 흐르는 경우의 정상상태에 대한 하기 수학식 10에서 전해질고분자 용액의 속도 u를 산출하는데 필요한 전해질고분자 용액의 점도 η를 측정하기 위한, 전해질고분자가 일정 농도 포함된 액체의 전단속도 변화에 따른 점도 측정장치; 및 상기 산출된 속도 u로부터 액체의 유량과 평균유속 계산 단계를 통해 얻어진 평균유속과의 오차를 비교하기 위하여, 전해질고분자가 일정 농도 포함된 액체의 마이크로플루이딕 채널에서의 실제 평균유속을 측정하기 위한 장치;를 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출장치
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제10항에 있어서,상기 전해질고분자가 일정 농도 포함된 액체의 마이크로플루이딕 채널에서의 실제 평균유속을 측정하기 위한 장치는 전해질고분자가 포함된 액체가 진입하는 유입구; 전해질고분자가 포함된 액체가 흐르는 마이크로플루이딕 채널; 전해질고분자가 포함된 액체가 배출되는 유출구; 상기 유입구, 상기 마이크로플루이딕 채널, 및 상기 유출구가 형성된 유리 또는 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질로 제조된 칩; 마이크로플루이딕 채널에 전해질고분자가 포함된 액체를 일정한 압력차 ΔP로 흘리기 위한 펌프; 및 정밀 압력계가 설치된 튜빙;을 포함하는 마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출장치
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제10항에 있어서,상기 전해질고분자가 일정 농도 포함된 액체의 전단속도 변화에 따른 점도 측정장치 또는 상기 전해질고분자가 일정 농도 포함된 액체의 마이크로플루이딕 채널에서의 실제 평균유속을 측정하기 위한 장치는 상기 전해질고분자 흡착층 두께의 산출장치와 온라인 또는 오프라인으로 연결되며,상기 전해질고분자 흡착층 두께의 산출장치는, 상기 전해질고분자의 농도분포 모델; 및 상기 점도 측정장치에 의해 측정된 점도로부터 산출된 평균유속과 상기 실제 평균유속을 측정하기 위한 장치에 의한 실제 평균유속간의 오차가 허용오차보다 작아질 때까지의 반복 계산으로 전해질고분자 흡착층 두께를 산출하는,마이크로플루이딕 채널 벽면에 형성되는 전해질고분자 흡착층 두께의 산출장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국과학기술연구원 중견연구(전략) 점탄성 유체의 계면동전기 유동 프로세스를 응용한 미세에너지 수확