맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화철 마이크로와이어 패턴의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 산화철 마이크로와이어 패턴

  • 기술번호 : KST2019011525
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화철 마이크로와이어 패턴의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 산화철 마이크로와이어 패턴에 관한 것으로, 상세하게는 기판을 산화철 전구체 용액 내로 침지시키는 단계(단계 1); 및 상기 기판의 전구체 용액 상에 패턴이 형성될 부위에 집광된 레이저를 조사하는 단계(단계 2);를 포함하되, 상기 집광된 레이저는 380 내지 600 nm의 파장을 갖는 가시광 레이저인 것을 특징으로 하는 산화철 마이크로와이어 패턴의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화철 마이크로와이어 패턴의 제조방법에 따르면, 산화철 전구체 용액에 산화철 밴드갭 이상의 에너지를 갖는 파장의 가시광 레이저를 조사함으로써, 씨드 층(seed layer) 없이도 낮은 온도 및 상압에서 산화철 마이크로와이어를 합성함과 동시에 별도의 공정 없이 패터닝을 함께 수행할 수 있다. 또한, 마이크로와이어의 길이가 120 ㎛까지 성장가능하며 레이저의 방향을 바꿈으로써 마이크로와이어의 성장방향을 조절할 수 있으므로 전자소자 등 반도체간의 연결이 필요한 응용분야에 사용할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C01G 49/06 (2006.01.01) B01J 19/12 (2006.01.01) H01B 5/14 (2006.01.01)
CPC C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01) C01G 49/06(2013.01)
출원번호/일자 1020140114440 (2014.08.29)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1595953-0000 (2016.02.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20160219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.08.29)
심사청구항수 1

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 고승환 대한민국 서울 관악구
2 여준엽 대한민국 서울 관악구
3 홍석준 대한민국 서울 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2014.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0829334-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0045664-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0563894-41
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2015.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-1014834-78
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1118614-46
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-1118559-22
10 등록결정서
Decision to grant		 2016.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0054009-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
내산성층이 형성된 유리 기판을 준비하되, 내산성층은 플래티늄을 이베퍼레이션 방법을 사용하여 30 nm 두께로 코팅한 것인 유리 기판을 준비하고,상기 기판을 을 0
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 서울대학교 중견연구자지원사업 도약연구 나노공정을 이용한 대규모 다중이용시설물의 자립형 스마트 피난유도등 개발
2 교육과학기술부 서울대학교 글로벌프론티어연구개발사업 초고효율 에너지 변환용 삼차원 멀티 구조체 병렬 조립