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열가수분해 공정을 이용한 이산화티타늄 나노로드의 제조방법 및 이로부터 제조된 이산화티타늄 나노로드를 포함하는 광전극

  • 기술번호 : KST2019011715
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열가수분해 공정을 이용한 이산화티타늄 나노로드의 제조방법 및 이로부터 제조된 이산화티타늄 나노로드를 포함하는 광전극에 관한 것으로, 더욱 구체적으로 p형 실리콘 위에 이산화티타늄 시드층을 형성시킨 후 열처리하는 단계; 및 티타늄 전구체를 포함하는 혼합용액을 이용한 열가수분해 공정으로 상기 열처리된 이산화티타늄 시드층에 이산화티타늄 나노로드를 형성시키는 단계;를 포함하는 열가수분해 공정을 이용한 이산화티타늄 나노로드의 제조방법 및 이로부터 제조된 이산화티타늄 나노로드를 포함하는 광전극에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) C01G 23/053 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01) H01L 31/0224(2013.01)
출원번호/일자 1020150180251 (2015.12.16)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1724692-0000 (2017.04.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.12.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장호원 대한민국 서울시 관악구
2 딘세파 멘수르 앤도쉐 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2015-1234523-88
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.09.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0138858-63
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0771672-25
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1260771-83
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1260770-37
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0221472-35
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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p형 실리콘 (100)면 위에 이산화티타늄 시드층을 형성시킨 후 열처리하는 단계; 및티타늄 전구체를 포함하는 혼합용액을 이용한 열가수분해 공정으로 상기 열처리된 이산화티타늄 시드층에 이산화티타늄 나노로드를 형성시키는 단계;를 포함하고,상기 시드층 형성 전 상기 실리콘을 유기 용매를 통해 초음파 세척 후, 불산에 침지시켜 표면의 유기 용매를 제거하는 단계;를 포함하고상기 이산화티타늄 시드층의 형성은 전자빔 증착법을 통해 5 nm의 두께가 되도록 수행되고,상기 열처리는 400 ℃ 내지 600 ℃의 온도에서 수행되고,상기 티타늄 전구체는 테트라부틸 티타네이트이고,상기 티타늄 전구체는 상기 혼합용액의 1 ~ 2 중량%로 포함되는, 열가수분해 공정을 이용한 광전극용 이산화티타늄 나노로드의 제조방법
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3 3
삭제
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삭제
5 5
삭제
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제1항에 있어서,상기 혼합용액은 탈이온수와 염산으로 이루어진 것을 특징으로 하는 열가수분해 공정을 이용한 광전극용 이산화티타늄 나노로드의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 염산은 상기 혼합용액의 45 ~ 55 중량%로 포함되는 것을 특징으로 하는 열가수분해 공정을 이용한 광전극용 이산화티타늄 나노로드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열가수분해는 180 ~ 220 ℃에서 30분 ~ 2시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 열가수분해 공정을 이용한 광전극용 이산화티타늄 나노로드의 제조방법
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제1항의 방법으로 제조된, p형 실리콘 위에 형성된 이산화티타늄 나노로드를 포함하는 광전극
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제9항에 있어서,상기 이산화티타늄 나노로드 상부에 금속층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광전극
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제10항에 있어서, 상기 금속층은 플레티늄(Pt), 팔라듐(Pd), 로듐(Rh), 및 이리듐(Ir)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 광전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 삼성미래기술육성센터 서울대학교 산학협력단 민간(기업)재단_삼성미래기술육성사업 [1차년도]대면적 단일원자층 PN접합 기반 자가활성 태양광 물분해 광전극 개발