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선택적 플라즈마 에칭법으로 형성된 방사선불투과성 중금속 코팅층을 포함하는 니티놀 기반 스텐트의 제조방법에 있어서,미리 결정된 제1 반응조건에서 제1중금속 타겟을 사용한 플라즈마 에칭을 수행하여 니티놀 스텐트의 표면에 계면없이 제1중금속 함유 나노구조물을 형성하는 제1단계로서, 불활성 기체 존재 하에 제1중금속 타겟에 음전압을 인가함과 동시에 니티놀 스텐트에 바이어스용 음전압을 인가하여, 제1중금속 이온 및 불활성 기체 이온에 의한 에칭과 중성인 제1중금속 원자의 증착을 경쟁적으로 발생시키는 플라즈마를 형성시키는 단계; 및제2중금속 타겟을 사용하고, 상기 제1단계에서 형성된 나노구조물 상에 에칭없이 제2중금속 원자의 증착을 유발하도록, 상기 제1단계에서 보다 낮은 전압을 이용하는 제2 반응조건에서 플라즈마를 발생시켜 제2중금속 코팅층을 형성하는 제2단계을 포함하고,상기 제1중금속은 니티놀의 주성분인 니켈 또는 티타늄 중 어느 하나에 비해 더 높은 원자량을 갖는 금속인 것이 특징인 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1중금속 및 제2중금속은 각각 독립적으로 탄탈륨, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 및 은으로 구성된 군으로부터 선택되는 방사선불투과성 금속인 것인 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1중금속 및 제2중금속은 모두 탄탈륨인 것인 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1중금속 함유 나노구조물은 돌출부 및 함몰부를 포함하고, 상기 돌출부 및 함몰부는 각각 독립적으로 연속 또는 불연속적인 곡선형, 직선형 또는 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 100 내지 200 nm 깊이 및 50 내지 300 nm 너비를 갖는 형태의 나노기공을 포함하는 것인 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1단계의 플라즈마 에칭은 내부에 서로 이격되어 위치한 제1중금속 타겟 및 표면에 나노구조를 형성하고자 하는 니티놀 스텐트를 포함하는 진공 챔버; 및 상기 제1중금속 타겟 및 니티놀 스텐트에 각각 연결된 직류 전원공급장치;를 구비한 스퍼터를 기반으로 하는 장치에 의해 수행되는 것인 제조방법
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제5항에 있어서,상기 제1중금속 타겟에 인가되는 전압은 제1중금속 타겟으로부터 제1중금속 원자 또는 이온을 방출할 수 있는 전압 이상의 음전압인 것인 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계의 반응은 내부에 서로 이격되어 위치한 제2중금속 타겟 및 제1단계에 따라 표면에 계면없이 형성된 중금속 함유 나노구조를 갖는 니티놀 스텐트를 포함하는 진공 챔버; 및 상기 제2중금속 타겟 및 니티놀 스텐트에 각각 연결된 직류 전원공급장치;를 구비한 스퍼터를 기반으로 하는 장치에 의해 수행되는 것인 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제2단계는 제2중금속 타겟에는 제2중금속 타겟으로부터 제2중금속 원자를 발생시킬 수 있는 전압을 인가하고, 상기 발생된 제2중금속 원자가 니티놀 스텐트 방향으로 가속될 수 있도록 니티놀 스텐트에는 30 내지 100V의 전압을 인가하여 수행되는 것인 제조방법
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제5항 또는 제7항에 있어서,상기 진공 챔버에 불활성 기체를 주입하여 소정의 압력을 유지하는 것인 제조방법
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제9항에 있어서,상기 불활성 기체는 아르곤 기체인 것인 제조방법
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방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재에 있어서,니티놀 합금 기재;상기 니티놀 합금 기재 상에 중금속 플라즈마에 의한 선택적 에칭에 의해 형성된 제1중금속 함유 혼성 나노구조층; 및 상기 나노구조층 상에 형성된 제2중금속 함유 층;을 포함하고,상기 제1중금속 함유 혼성 나노구조층은 제1중금속 플라즈마에 의해 계면없이 형성되면서 돌출부 및 함몰부를 포함하고, 상기 돌출부 및 함몰부는 각각 독립적으로 연속 또는 불연속적인 곡선형, 직선형 또는 이들의 조합으로 구성된 군으로부터 선택되는 100 내지 200 nm 깊이 및 50 내지 300 nm 너비를 갖는 형태의 나노기공을 포함하는 나노구조를 가지며,상기 제2중금속 함유 층은 제1중금속 함유 혼성 나노구조층 상에 제2중금속 원자가 연속적으로 증착되어 나노기공 일부 또는 전부를 채우면서 형성된 것인 방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재
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제11항에 있어서,상기 니티놀 기반 합금 기재는 니티놀 기반 스텐트인 것인 방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재
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제12항에 있어서,상기 니티놀 기반 스텐트는 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 것이 특징인 방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재
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제11항에 있어서,상기 제1중금속 및 제2중금속은 각각 독립적으로 탄탈륨, 텅스텐, 레늄, 오스뮴, 이리듐, 백금, 금 및 은으로 구성된 군으로부터 선택되는 것인 방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재
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제11항에 있어서,상기 제1중금속 및 제2중금속은 모두 탄탈륨인 것인 방사선불투과성 니티놀 기반 합금 기재
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