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생체 분해성 스텐트 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015137657
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마그네슘층, 상기 마그네슘층 상부에 형성된 세라믹층 및 상기 마그네슘층과 상기 세라믹층 사이에 개재되는 마그네슘 화합물층을 포함한다. 이러한 구성으로 인하여, 스텐트의 초기 부식이 지연될 수 있으며, 스텐트는 우수한 생체 적합성을 가지고 따라서 세포 증식 및 분화시 부작용을 감소시킬 수 있게 된다.
Int. CL A61L 31/02 (2006.01.01) A61L 31/08 (2006.01.01) A61L 31/14 (2006.01.01) A61F 2/91 (2013.01.01) C23C 14/08 (2006.01.01) C25D 11/30 (2006.01.01) C23C 14/06 (2006.01.01) C23C 22/34 (2006.01.01) A61L 27/30 (2006.01.01)
CPC A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01) A61L 31/022(2013.01)
출원번호/일자 1020100048128 (2010.05.24)
출원인 일진머티리얼즈 주식회사, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1670435-0000 (2016.10.24)
공개번호/일자 10-2010-0129181 (2010.12.08) 문서열기
공고번호/일자 (20161028) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090046869   |   2009.05.28
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.21)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 일진머티리얼즈 주식회사 대한민국 전라북도 익산시 석
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현이 대한민국 서울특별시 서초구
2 조지훈 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 김상범 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동우 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, *층(삼성동)(월드클래스특허법률사무소)
2 한태근 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동) ****호(강한국제특허법률사무소)
3 최훈식 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** (가산동) ****호(강한국제특허법률사무소)
4 양한나 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 *** ****호(가산동)(강한국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 일진머티리얼즈 주식회사 대한민국 전라북도 익산시 석
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.05.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0329894-99
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.05.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0046597-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0377510-42
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.23 수리 (Accepted) 4-1-2010-5219324-71
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5220107-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.16 수리 (Accepted) 4-1-2010-0019482-02
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-1141477-82
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-1215877-00
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0058544-28
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
14 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0490627-31
15 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0554566-23
16 보정요구서
Request for Amendment
2015.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0095019-75
17 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0583572-58
18 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0831486-89
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.08 수리 (Accepted) 1-1-2016-0876840-37
20 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.09.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0876841-83
21 등록결정서
Decision to grant
2016.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0745422-74
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
스텐트에 있어서, 마그네슘층;상기 마그네슘층 상부에 형성된 세라믹층; 및상기 마그네슘층과 상기 세라믹층 사이에 위치하며, 마그네슘 함유 화합물을 포함하는 마그네슘 화합물층을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트
2 2
제1항에 있어서, 상기 스텐트는,상기 마그네슘층으로 형성된 코어, 상기 코어를 둘러싸는 상기 마그네슘 화합물층, 및 상기 마그네슘 화합물층을 둘러싸는 상기 세라믹층을 포함하는 단면을 가지는 와이어드 구조(wired structure)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트
3 3
제1항에 있어서, 상기 마그네슘층은 90wt% 이상의 마그네슘을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트
4 4
제3항에 있어서, 상기 마그네슘층은 아연(Zn), 망간(Mn), 칼슘(Ca), 지르코늄(Zr), 이트륨(Y), 몰리브덴(Mo), 니오븀(Nb), 탄탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 스트론튬(Sr), 크롬(Cr), 규소(Si), 인(P), 니켈(Ni) 및 철(Fe)로 이루어지는 그룹에서 선택되는 원소를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는,스텐트
5 5
제1항에 있어서, 상기 마그네슘 화합물층은 상기 마그네슘 함유 화합물로서 불화마그네슘(MgF2) 및 산화마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트
6 6
제1항에 있어서, 상기 마그네슘 화합물층은 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 세라믹층은 수산화아파타이트(HA, hydroxyapitite) 및 이산화티타늄(TiO2) 중 어느 하나 또는 그 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 스텐트
8 8
제1항에 있어서, 상기 세라믹층은 0
9 9
스텐트의 제조 방법에 있어서,(1) 마그네슘층 및 상기 마그네슘층 상부에 형성되는 마그네슘 화합물층을 포함하는 구조를 제공하는 단계; 및(2) 상기 마그네슘 화합물층이 상기 마그네슘층과 세라믹층 사이에 위치하도록 상기 구조 상부에 세라믹층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,스텐트의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 구조를 제공하는 단계는, 상기 마그네슘층을 제공하는 단계; 및마그네슘 함유 화합물을 스퍼터링하여 상기 마그네슘층 상부에 상기 마그네슘 화합물층을 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 구조를 제공하는 단계는, 상기 마그네슘층을 제공하는 단계; 및상기 마그네슘층 표면의 마그네슘을 마그네슘 함유 화합물로 전환시켜 상기 마그네슘 함유 화합물이 상기 마그네슘층을 둘러싸도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 마그네슘 화합물층은 상기 마그네슘 함유 화합물로서 불화마그네슘(MgF2) 및 산화마그네슘(MgO) 중 어느 하나 또는 그 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 산화마그네슘(MgO)은 상기 마그네슘층의 표면의 상기 마그네슘을 양극산화시켜(anodizing) 형성되는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서, 상기 불화마그네슘(MgF2)은 상기 마그네슘층의 표면의 상기 마그네슘을 불소화(fluorination)시켜 형성되는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
15 15
제11항에 있어서, 상기 마그네슘층 및 상기 마그네슘층 상부에 형성되는 마그네슘 화합물층을 포함하는 구조는, 상기 마그네슘 함유 화합물을 형성한 이후에 200℃ 내지 500℃의 온도로 가열하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
16 16
제9항에 있어서, 상기 세라믹층은 상기 마그네슘 화합물층 상부에 세라믹 재료를 진공 파우더 스프레이(vacuum powder spraying)함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
17 17
제9항에 있어서, 상기 세라믹층은 입경이 1 ㎛ 내지 5 ㎛인 수산화아파타이트 분말 또는 이산화티타늄 분말을 상기 마그네슘 화합물층 상부에 도포함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
18 18
스텐트의 제조 방법에 있어서,(a) 스텐트 형상의 마그네슘 재료를 제공하는 단계;(b) 상기 마그네슘 재료 상부에 마그네슘 화합물층을 형성하는 단계; 및(c) 상기 마그네슘 화합물층 상부에 세라믹층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서, 상기 마그네슘 화합물층을 형성하는 단계는, 상기 마그네슘 재료를 처리하여 상기 마그네슘 재료의 마그네슘 일부를 마그네슘 함유 화합물로 전환시키는 단계; 및상기 마그네슘 재료를 둘러싸는 상기 마그네슘 화합물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 스텐트의 제조 방법
20 20
제18항에 있어서, 상기 마그네슘 화합물층을 형성하는 단계는, 상기 마그네슘 재료의 표면 상에 마그네슘 함유 화합물을 스퍼터링하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,스텐트의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US08382823 US 미국 FAMILY
2 US20100305684 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010305684 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8382823 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.