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환부에 삽입되었을 때 상기 환부와 마주하는 스텐트 외벽 및 상기 스텐트 외벽의 반대 편에 제공되는 스텐트 내벽을 포함하는 스텐트 기재;상기 스텐트 외벽 및 상기 스텐트 내벽 상에 제공되는 제1 코팅층; 및상기 제1 코팅층을 사이에 두고 상기 스텐트 내벽 상에 제공되는 제2 코팅층을 포함하고,상기 스텐트 기재는 제1 금속을 포함하고, 상기 제2 코팅층은 상기 제1 금속과 상이한 제2 금속을 포함하는, 스텐트
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제1항에 있어서,상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층 표면을 따라 제1 코팅층에 삽입된 금속 이온 층 형태로 제공되는, 스텐트
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제1항에 있어서,상기 제1 금속은 마그네슘을 포함하는, 스텐트
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제1항에 있어서,상기 제1 코팅층은고분자층; 및상기 고분자층에 담지된 약물을 포함하는, 스텐트
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제4항에 있어서,상기 약물은 항증식성 제제(anti-proliferative agent)를 포함하는, 스텐트
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제4항에 있어서,상기 고분자층은 폴리에테르이미드(polyetherimide; PEI), 폴리-ε-카프로락톤(poly-ε-caprolactone; PCL), 폴리락트산(polylactic acid; PLA), 폴리글리콜산(polyglycolic acid; PGA), 폴리-ε-카프로락톤-락트산 공중합체(PCLA), 폴리-ε-카프로락톤-글리콜산 공중합체(PCGA), 폴리락트산-글리콜산 공중합체(PLGA), 폴리트리메틸렌카보네이트(poly(trimethylene carbonate); PTMC), 폴리아미노산(poly(amino acid)), 폴리안하이드라이드(polyanhydride), 이들의 공중합체 및 이들의 혼합물로 구성된 군으로부터 선택되는 폴리머를 포함하는, 스텐트
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제1항에 있어서,상기 제2 금속은 아연, 망간, 칼슘, 지르코늄, 이트륨, 몰리브데늄, 니오븀, 탄탈륨, 티타늄, 스트론튬, 크롬, 규소, 인, 니켈, 및 철로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인, 스텐트
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스텐트 기재를 준비하는 단계;상기 스텐트 기재 상에 제1 코팅층을 제공하는 단계;상기 제1 코팅층 상에 마스크층을 제공하는 단계;상기 제1 코팅층 및 상기 마스크층 상에 제2 코팅층을 제공하는 단계; 및상기 마스크층 및 상기 마스크층 상에 제공된 상기 제2 코팅층을 제거하는 단계를 포함하고,상기 제2 코팅층은 상기 스텐트 기재의 일면 상에 제공되는, 스텐트 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 스텐트는 환부에 삽입되었을 때 상기 환부와 마주하는 스텐트 외벽 및 상기 스텐트 외벽의 반대 편에 제공되는 스텐트 내벽을 포함하고,상기 제2 코팅층은 상기 스텐트 내벽 상에 제공되는, 스텐트 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 코팅층은 상기 제1 코팅층 및 상기 마스크층 상에 금속 이온을 주입하여 제공되는, 스텐트 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 금속 이온은 양의 전하를 띠고,상기 금속 이온은 상기 스텐트 기재에 음 전압을 가함으로써 상기 제1 코팅층 및 상기 마스크층 상에 주입되는, 스텐트 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 금속 이온은 금속 타겟에 음 전압을 인가함으로써 방출되고,상기 금속 타겟에 인가되는 음 전압의 절대 값 크기는 상기 스텐트 기재에 인가되는 음 전압의 절대 값 크기보다 작은, 스텐트 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 마스크층은 수용성 고분자를 포함하고,상기 마스크층은 수용성 용액에 노출시킴으로써 제거되는, 스텐트 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 코팅층에 약물을 담지시키는 단계를 더 포함하는, 스텐트 제조 방법
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