맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

투명전도막 제조 방법

  • 기술번호 : KST2019011772
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명전도막 제조 방법으로서, (a) 기판(10)을 제공하는 단계, (b) 기판(10) 상에 금속 마스크층(20)을 형성하는 단계, (c) 금속 마스크층(20)을 플라즈마 처리하여 디웨팅(Dewetting)하는 단계, (d) 디웨팅된 금속 마스크층(25) 상에 전도층(30)을 형성하는 단계, 및 (e) 디웨팅된 금속 마스크층(25)을 제거하여 전도층(30)에 투과패턴(P)을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 5/14 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01) H01B 3/08 (2006.01.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020160050028 (2016.04.25)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1752764-0000 (2017.06.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.04.25)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이정중 대한민국 서울특별시 관악구
2 최한주 미국 서울특별시 관악구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0394850-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.12.20 수리 (Accepted) 9-1-2016-0052351-72
4 등록결정서
Decision to grant		 2017.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0412365-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 기판을 제공하는 단계;(b) 상기 기판 상에 금속 마스크층을 형성하는 단계;(c) 상기 금속 마스크층을 플라즈마 처리하여 디웨팅(Dewetting)하는 단계;(d) 상기 디웨팅된 금속 마스크층 상에 전도층을 형성하는 단계; 및(e) 상기 디웨팅된 금속 마스크층을 제거하여 상기 전도층에 투과패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 투명전도막 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판의 재질은 유리(Glass), 석영(Quartz), 폴리머 중 하나인, 투명전도막 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 마스크층은 Sn, Pb, Zn, In 중 어느 하나를 포함하는, 투명전도막 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 플라즈마는 수소 플라즈마인, 투명전도막 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 전도층은 Au, Ag, Cu 중 하나를 포함하는, 투명전도막 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 디웨팅한 금속 마스크층은 염산(HCl) 또는 황산(H2SO4)을 사용하여 제거하는, 투명전도막 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 금속 마스크층의 두께는 30nm 내지 100nm인, 투명전도막 제조 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리는 5초 내지 60초 동안 수행되는, 투명전도막 제조 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 전도층의 두께는 8nm 내지 12nm인, 투명전도막 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (e) 단계에서, 상기 투과패턴은 메쉬 형태를 가지는, 투명전도막 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 금속 마스크층의 두께, 상기 플라즈마 처리 시간 중 적어도 하나를 조절하여 상기 투명전도막의 개구율(Open Area Percentage)를 조절하는, 투명전도막 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.