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Ti 및 Cu 분말을 하기 식 1에 따라 칭량하여 혼합하는 단계; 및상기 혼합된 분말을 소결하는 단계를 포함하고, 상기 Ti 및 Cu 분말의 직경이 10μm 이하인 것을 특징으로 하는 열전모듈용 전극소재의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 소결이 방전 플라즈마 소결법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈용 전극소재의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 소결이 1
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제3항에 있어서,상기 소결이 800 내지 1000℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈용 전극소재의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 소결이 10 내지 300℃/min의 승온 속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈용 전극소재의 제조방법
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상/하면을 형성하며 발열 또는 흡열하는 상부기판 및 하부기판;상기 상부기판 및 하부기판 사이에 구비되어 공급된 전원의 흐름을 안내하는 전극; 및상기 전극의 일면에서 서로 이격 형성된 다수의 P형반도체 및 N형반도체를 포함하고,상기 전극은 Ti 및 Cu를 포함하고, 상기 Ti 및 Cu 조성은 하기 식 1에 따르며,상기 전극은 Ti 및 Cu 분말을 하기 식 1에 따라 칭량하여 혼합하는 단계; 및 상기 혼합된 분말을 소결하는 단계를 포함하여 제조되고, 상기 Ti 및 Cu 분말의 직경이 10μm 이하인 것인 열전모듈
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제9항에 있어서,상기 P형반도체 및 N형반도체가 스커테루다이트계 반도체인 것을 특징으로 하는 열전모듈
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제10항에 있어서,상기 P형 반도체가 Fe3
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제10항에 있어서,상기 N형 반도체가 Co4Sb12계 N형 반도체인 것을 특징으로 하는 열전모듈
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열전모듈의 상/하면 외관을 형성하는 상부기판 또는 하부기판의 일면에 상부전극 또는 하부전극을 형성하는 전극형성단계;상기 상부전극과 하부전극 중 어느 하나의 일면에 P형반도체와 N형반도체를 접합하는 접합단계를 포함하고, 상기 접합단계는 브레이징 공정에 의해 수행되며, 상기 전극은 Ti 및 Cu 분말을 하기 식 1에 따라 칭량하여 혼합하는 단계; 및 상기 혼합된 분말을 소결하는 단계를 포함하여 제조되고, 상기 Ti 및 Cu 분말의 직경이 10μm 이하인 것인 열전모듈의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 브레이징 공정이 550 내지 750℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 브레이징 공정이 20℃/min 이상의 승온속도로 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 브레이징 공정이 1 내지 30 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 브레이징 공정이 Ag 및 Cu 중에서 선택된 1종 이상의 접합용 금속을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열전모듈의 제조방법
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