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기판 상부에 질화물을 이용하여 박막으로 증착하고 열처리하는 박막형성단계;기판 상부에 마스크 패턴을 형성하는 마스크 패턴 형성단계;상기 마스크 패턴 상부에 질화물을 증착하는 증착 단계;열처리를 통해 마스크 패턴을 제거하는 제거단계; 및증착된 질화물 상에 질화물을 성장시키는 성장단계;를 포함하는 마스크 패턴 및 질화물계 물질의 선택적 성장을 이용한 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 박막형성단계 및 상기 성장단계에서,상기 질화물은 AlN 또는 AlGaN인 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 질화물의 성장은 상기 마스크 패턴에 의해 가려지지 않고 노출된 부분에만 성장하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스크 패턴은 실리콘 산화물을 이용하여 복수 개의 단위 마스크 패턴으로 형성되며, 상기 단위 마스크 패턴의 수직 단면은 삼각형, 원호 및 사다리꼴 중 어느 하나인 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질화물을 성장시키는 단계는:상기 마스크 패턴에 의해 가려지지 않고 노출된 부분에 질화물을 기판의 수직방향으로 성장시키는 광소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 수직으로 성장한 질화물이 상기 마스크 패턴의 원하는 높이 도달시 질화물을 기판의 수평방향으로 성장시키는 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 광소자는, UV LED광소자에 이용하는 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 증착 단계에서,상기 질화물은, GaN, AlN 및 AlGaN 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 마스크 패턴은, 폴리스타이렌(PS, polystyrene), 폴리메타아크릴레이트 (PMMA, polymethylmethacrylate), 페놀계 고분자, 아크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 비닐알콜계 고분자 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광소자 제조 방법
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