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2차원 절연체를 포함하는 근적외선 센서

기술번호 : KST2019016604
담당센터 : 경기기술혁신센터
전화번호 : 031-8006-1570

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	개시된 근적외선 센서는 기판 상의 2차원 물질 반도체층과, 상기 2차원 물질 반도체층 상의 터널링층과, 상기 터널링층의 상면 양단에 각각 배치된 제1 전극 및 제2 전극을 포함한다. 상기 반도체층은 대략 10nm ~ 100nm 두께를 가진 전이금속 디칼코게나이드다. 상기 터널링층과 상기 기판은 hBN 물질로 이루어질 수 있다.
Int. CL	H01L 31/09 (2006.01.01) H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC	H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01) H01L 31/09(2013.01)
출원번호/일자	1020180018071 (2018.02.13)
출원인	삼성전자주식회사, 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2019-0097981 (2019.08.21) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	공개
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	N
심사청구항수	16

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	삼성전자주식회사	대한민국	경기도 수원시 영통구
2	성균관대학교산학협력단	대한민국	경기도 수원시 장안구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조상현	대한민국	서울특별시 동작구
2	양희준		서울특별시 서대문구
3	황근우		경상북도 김천시
4	신현진	대한민국	경기도 수원시 장안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	리앤목특허법인	대한민국	서울 강남구 언주로 길 , 층, 층, 층, *층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2018.02.13	수리 (Accepted)	1-1-2018-0159962-05

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상의 2차원 물질 반도체층;상기 2차원 물질 반도체층 상의 터널링층; 및상기 터널링층의 상면 양단에 각각 배치된 제1 전극 및 제2 전극;을 구비하는 근적외선 센서
2	2 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 전이금속 디칼코게나이드를 포함하는 근적외선 센서
3	3 제 2 항에 있어서, 상기 반도체층은 , MoS2, MoSe2, MoTe2, WS2, WSe2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, HfS2, HfSe2, NbSe2, ReSe2, CuS 를 포함하는 근적외선 센서
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 대략 10nm ~ 100nm 두께를 가진 근적외선 센서
5	5 제 1 항에 있어서, 상기 터널링층은 hBN, 알루미나, 하프늄 옥사이드를 포함하는 근적외선 센서
6	6 제 1 항에 있어서,상기 터널링층의 두께는 대략 3nm ~ 10nm인 근적외선 센서
7	7 제 1 항에 있어서,상기 기판은 hBN으로 이루어진 근적외선 센서
8	8 제 1 항에 있어서,상기 기판에서 상기 반도체층을 마주보게 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 근적외선 센서
9	9 제 7 항에 있어서,상기 기판의 두께는 대략 3nm ~ 10nm인 근적외선 센서
10	10 제 1 항에 있어서,상기 제1 전극 및 상기 제2 전극은 투명한 도전성 산화물을 포함하는 근적외선 센서
11	11 hBN 기판 상의 MoTe2 반도체층;상기 MoTe2 반도체층 상의 hBN 터널링층; 및상기 터널링층의 상면 양단에 각각 배치된 제1 전극 및 제2 전극;을 구비하는 근적외선 센서
12	12 제 11 항에 있어서, 상기 MoTe2 반도체층 은 대략 10nm ~ 100nm 두께를 가진 근적외선 센서
13	13 제 11 항에 있어서, 상기 터널링층의 두께는 대략 3nm ~ 10nm인 근적외선 센서
14	14 제 11 항에 있어서,상기 기판에서 상기 MoTe2 반도체층 을 마주보게 형성된 게이트 전극을 더 포함하는 근적외선 센서
15	15 제 14 항에 있어서,상기 기판의 두께는 대략 3nm ~ 10nm인 근적외선 센서
16	16 제 11 항에 있어서,상기 제1 전극 및 제2 전극은 투명한 도전성 산화물을 포함하는 근적외선 센서

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US20190252569	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2019252569	US	미국	DOCDBFAMILY

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1	[특허출원]특허출원서	2018.02.13	수리 (Accepted)	1-1-2018-0159962-05

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