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기재 상에 Ti-전구체와 Te-전구체를 순차적으로 공급하는 사이클(cycle)을 1회 이상 반복하여 원자층 증착(ALD) 공정에 의해 Ti-Te 막을 형성하는 것을 포함하는, Ti-Te 막 증착 방법
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제 1 항에 있어서,상기 Ti-전구체는 하기 화학식들로서 표시되는 Ti-함유 화합물들로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, Ti-Te 막 증착 방법:[화학식 1] TiXa(OR1)b(OR2)4-a-b ;상기 화학식 1에서, X는 할로겐 원소(F, Cl, Br, 또는 I)이고 R1와 R2는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기이고, a와 b는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이고, a+b는 4 이하임;[화학식 2] Ti(NR3R4)4 ;상기 화학식 2에서, R3와 R4는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기임;[화학식 3] Ti(SiR5R6R7)c(SiR5'R6'R7')4-c ;[화학식 4] Ti(SiR5R6R7)d(NR8R9)4-d ;상기 화학식 3 및 4 각각에서, R5, R6, R7, R5', R6', R7', R8 및 R9는 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기이고, c 는 0 내지 4의 정수이고, d는 1 내지 3의 정수임;[화학식 6] Ti(R1-N-C(R3)-N-R2)u(OR4)x(NR5R6)y(O2CR7)z ;[화학식 7]Ti(R1-N-(C(R3)2)m-N-R2)v(OR4)x(NR5R6)y(O2CR7)z ;상기 화학식 6 및 7 각각에서,R1, R2, R5, R6, 및 R7은 독립적으로 H 및 C1-C6 알킬기로 이루어진 군으로부터 선택되고;R3 = H, C1-C6 알킬기, 또는 NMe2;R4 = C1-C6 알킬기;m = 2-4;u = 0-2;v = 0-1;x = 1-3;y = 0-2;z = 0-1;화학식 6에서, u+x+y+z = 4;화학식 7에서, 2v+x+y+z = 4;u, v 또는 z = 1임; 및Ti(OiPr)2(dmae)2, Ti(Me5Cp)(OMe)3, Ti(MeCp)(OMe)3, TiCp(NMe2)3, Ti(Me5Cp)(NMe2)3, Ti(mpd)(thd)2, 및 Ti(OiPr)2(thd)2
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제 1 항에 있어서,상기 Te 전구체는 하기 화학식들로서 표시되는 Te-함유 화합물들로부터 선택되는 하나 이상을 포함하는 것인, Ti-Te 막 증착 방법:[화학식 8] TeR10R11 ;상기 화학식 8에서, R10 및 R11은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기임;[화학식 9]Te(SiR12R13R14)(SiR12'R13'R14') ;[화학식 10]Te(SiR12R13R14)(NR15R16) ;[화학식 11]Te(SiR12R13R14)R17 ;상기 화학식 8 내지 10 각각에서, R12, R13, R14, R12', R13', R14', R15, R16 및 R17은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기임;[화학식 12]Te(GeR12R13R14)(GeR12'R13'R14') ;[화학식 13]Te(GeR12R13R14)(NR15R16) ;[화학식 14]Te(GeR12R13R14)R17 ;상기 화학식 12 내지 14 각각에서, R12, R13, R14, R12', R13', R14', R15, R16 및 R17은 각각 독립적으로 H, 탄소수 1 내지 10 또는 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 분지형 알킬기, 탄소수 3 내지 10의 포화 또는 불포화 탄소 고리기 또는 탄소수 3 내지 10의 아릴기임;Te-할라이드계 화합물; 및, ,, ;상기 식들에서, R1, R2, R3, R4, 및 R5는 각각 독립적으로 C1-C6 알킬, C1-C6 알콕시, C3-C8 시클로알킬, C6-C10 아릴, 실릴, 치환 실릴, 아미노알킬, 알킬아민, 알콕시알킬, 아릴옥시알킬, 이미도알킬, 아세틸알킬과 할로겐 (염소, 브롬, 요오드 또는 플루오르)로부터 독립적으로 선택되고, 각각의 R5은 추가적으로 그리고 독립적으로 수소 또는 아미드임
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제 1 항에 있어서,상기 Ti-Te 막은 TiTe2 박막을 포함하는 것인, Ti-Te 막 증착 방법
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제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 Ti-Te 막 증착 방법에 의하여 원자층 증착(ALD) 공정에 의해 Ti-Te 막을 상변화 물질막 상에 형성함으로써, 상기 상변화 물질막을 Ti에 의하여 도핑하는 것을 포함하는, 상변화 물질막의 Ti-도핑 방법으로서,상기 상변화 물질막을 형성하기 위한 전구체들을 순차적으로 공급하는 ALD 사이클을 1 회 이상 수행한 후 Ti-Te 막을 형성하기 위한 Ti-전구체 및 Te-전구체를 순차적으로 공급하는 Ti-Te ALD 사이클을 1 회 이상 수행하는 것을 포함하는 수퍼사이클(supercycle) 공정을 포함하는, 상변화 물질막의 Ti-도핑 방법
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제 5 항에 있어서,상기 상변화 물질막은 A-B 상변화 물질을 포함하는 것으로서,상기 A는 Ge, Sn, Si, In, Al, Ag, Ga 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고, 상기 B는 S, Se, Te 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 상변화 물질막의 Ti-도핑 방법
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제 5 항에 있어서,상기 수퍼사이클 공정에서, 상기 Ti-Te 막을 형성하기 위한 Ti-Te ALD 사이클의 회수를 조절함으로써 상기 상변화 물질막의 Ti-도핑 농도가 조절되는 것인, 상변화 물질막의 Ti-도핑 방법
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복수의 상변화 물질막; 및상기 복수의 상변화 물질막 각 층 사이에 형성된 Ti-Te 분리막을 포함하는, 다층 상변화 구조체로서,상기 Ti-Te 분리막은 상기 복수의 상변화 물질막 각각의 사이에서 원소 이동을 방지하는 것인,다층 상변화 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 Ti-Te 분리막은 원자층 증착(ALD) 공정에 의하여 형성되는 것인, 다층 상변화 구조체
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제 8 항에 있어서,상기 상변화 물질막은 A-B 상변화 물질을 포함하는 것이며, 상기 A는 Ge, Sn, Si, In, Al, Ag, Ga 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고, 상기 B는 S, Se, Te 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인,다층 상변화 구조체
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제 1 전극;상기 제 1 전극에 형성되는 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 따른, Ti-Te 분리막을 포함하는 다층 상변화 구조체; 및상기 다층 상변화 구조체 상에 형성되는 제 2 전극을 포함하는, 상변화 메모리 소자
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제 1 상변화 물질막과 상기 제 2 상변화 물질막 사이에 형성된 Ti-Te 분리막을 포함하는, 상변화 메모리 소자로서,상기 제 1 상변화 물질막과 상기 제 2 상변화 물질막은 서로 상이한 도핑 농도로 Ti-도핑되어, 상기 제 1 상변화 물질막과 상기 제 2 상변화 물질막 중 상기 Ti-도핑 농도가 상대적으로 큰 상변화 물질막이 선택 소자로서 작용하고 상기 Ti-도핑 농도가 상대적으로 적은 상변화 물질막이 메모리 소자로서 작용하는 것인, 상변화 메모리 소자
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 상변화 물질막 및 상기 제 2 상변화 물질막은, 각각 독립적으로 상기 Ti-도핑 농도가 0
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 상변화 물질막 및 상기 제 2 상변화 물질막 각각은 독립적으로 A-B 상변화 물질을 포함하는 것이며, 상기 A는 Ge, Sn, Si, In, Al, Ag, Ga 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것이고, 상기 B는 S, Se, Te 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인,상변화 메모리 소자
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제 12 항에 있어서,상기 제 1 상변화 물질막과 상기 제 2 상변화 물질막 각각은, 상기 상변화 물질막을 형성하기 위한 전구체들을 순차적으로 공급하는 ALD 사이클을 1 회 이상 수행한 후, Ti-Te 막을 형성하기 위한 Ti-전구체 및 Te-전구체를 순차적으로 공급하는 Ti-Te ALD 사이클을 1 회 이상 수행하는 것을 포함하는 수퍼사이클(supercycle) 공정을 이용하여 Ti에 의하여 도핑되며, 상기 Ti-Te ALD 사이클의 회수를 조절함으로써 상기 Ti-도핑 농도가 조절된 것인, 상변화 메모리 소자
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