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MTJ 소자의 유전체 막질 검증 방법 및 그 시스템

  • 기술번호 : KST2019019631
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 STT­MRAM(Spin­Transfer Torque Magnetic Random Access Memory, 스핀전달토크 기반 메모리)의 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)에 대한 막질 검증을 위한 스트레스(Stress) 평가 방식을 제공하는 막질 검증 방법 및 그 시스템에 관한 것으로, 유니폴라 정공(+극성) 및 유니폴라 전자(­극성)을 포함하는 유니폴라 신호와 바이폴라 신호를 동일한 MTJ 소자로 동시에 인가한 후, 사이클링 갭(Cycling Gap)을 비교한 결과에 따라 1nm 수준의 박막에 대한 품질을 검증할 수 있다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01) H01L 43/02 (2006.01.01) G01R 31/26 (2014.01.01)
CPC H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01) H01L 22/14(2013.01)
출원번호/일자 1020180039035 (2018.04.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-2033503-0000 (2019.10.11)
공개번호/일자 10-2019-0115840 (2019.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20191017) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.04.04)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송윤흡 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양성보 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로***길 ** (논현동) 삼성빌딩 *층(피앤티특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자 주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0333931-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.03.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0069079-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.06.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0465378-76
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0746732-58
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0746731-13
7 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
 2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0746442-12
8 [출원서 등 보완]보정서
 2019.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2019-0746441-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
11 등록결정서
Decision to grant		 2019.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0704679-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
MTJ 소자의 유전체 막질에 대한 신뢰성을 검증하는 막질 검증 방법에 있어서,STT­MRAM(Spin­Transfer Torque Magnetic Random Access Memory, 스핀전달토크 기반 메모리)의 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)로 유니폴라 신호(Unipolar) 및 바이폴라 신호(Bipolar)를 인가하는 단계;상기 MTJ 소자로부터 발생되는 유니폴라 신호의 특성 및 바이폴라 신호의 특성 간의 사이클링 갭(Cycling Gap)을 비교하는 단계; 및비교 결과를 기반으로, 상기 MTJ 소자의 유전체(Dielectric) 박막을 검증하는 단계를 포함하는 막질 검증 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 유니폴라 신호 및 바이폴라 신호를 인가하는 단계는자성 물질을 가지는 복수의 MTJ 소자들을 포함하는 상기 STT­MRAM 중 동일한 상기 MTJ 소자에 유니폴라 정공(+극성) 및 유니폴라 전자(­극성)을 포함하는 상기 유니폴라 신호와 상기 바이폴라 신호를 동시에 인가하는 것을 특징으로 하는 막질 검증 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 유니폴라 신호 및 상기 바이폴라 신호는서로 다른 신호 사이의 시간을 나타내는 간격시간정보 및 신호의 시간을 나타내는 신호시간정보를 포함하는 막질 검증 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 유니폴라 신호의 특성 및 바이폴라 신호의 특성 간의 사이클링 갭을 비교하는 단계는상기 유니폴라 신호 및 상기 바이폴라 신호가 인가된 상기 MTJ 소자로부터 발생되는 상기 간격시간정보에 대한 사이클링 횟수에서, 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성을 획득하고, 획득된 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성 간의 상기 사이클링 갭을 비교하는 막질 검증 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 MTJ 소자의 유전체(Dielectric) 박막을 검증하는 단계는상기 간격시간정보와 상기 신호시간정보가 동일한 지점에서, 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성 간의 상기 사이클링 갭을 비교한 결과에 따라 양호 박막 또는 불량 박막을 검증하는 막질 검증 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 MTJ 소자의 유전체(Dielectric) 박막을 검증하는 단계는상기 사이클링 갭이 기 설정된 지정값 이상인 경우, 상기 MTJ 소자의 박막을 양호 박막으로 검증하고, 상기 기 설정된 지정값 이하인 경우, 상기 MTJ 소자의 박막을 불량 박막으로 검증하는 막질 검증 방법
7 7
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 방법을 수행하기 위하여 컴퓨터로 판독 가능한 기록 매체에 저장된 컴퓨터 프로그램
8 8
MTJ 소자의 유전체 막질에 대한 신뢰성을 검증하는 막질 검증 시스템에 있어서,STT­MRAM(Spin­Transfer Torque Magnetic Random Access Memory, 스핀전달토크 기반 메모리)의 MTJ 소자(Magnetic Tunnel Junction, 자기 터널 접합)로 유니폴라 신호(Unipolar) 및 바이폴라 신호(Bipolar)를 인가하는 신호 인가부;상기 MTJ 소자로부터 발생되는 유니폴라 신호의 특성 및 바이폴라 신호의 특성 간의 사이클링 갭(Cycling Gap)을 비교하는 비교부; 및비교 결과를 기반으로, 상기 MTJ 소자의 유전체(Dielectric) 박막을 검증하는 검증부를 포함하는 막질 검증 시스템
9 9
제8항에 있어서,상기 신호 인가부는 자성 물질을 가지는 복수의 MTJ 소자들을 포함하는 상기 STT­MRAM 중 동일한 상기 MTJ 소자에 유니폴라 정공(+극성) 및 유니폴라 전자(­극성)을 포함하는 상기 유니폴라 신호와 상기 바이폴라 신호를 동시에 인가하는 것을 특징으로 하는 막질 검증 시스템
10 10
제8항에 있어서,상기 비교부는상기 유니폴라 신호 및 상기 바이폴라 신호가 인가된 상기 MTJ 소자로부터 발생되는 간격시간정보에 대한 사이클링 횟수에서, 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성을 획득하고, 획득된 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성 간의 상기 사이클링 갭을 비교하는 막질 검증 시스템
11 11
제10항에 있어서,상기 검증부는상기 간격시간정보와 신호시간정보가 동일한 지점에서, 상기 유니폴라 신호의 특성 및 상기 바이폴라 신호의 특성 간의 상기 사이클링 갭을 비교한 결과에 따라 양호 박막 또는 불량 박막을 검증하는 막질 검증 시스템
12 12
제11항에 있어서,상기 검증부는상기 사이클링 갭이 기 설정된 지정값 이상인 경우, 상기 MTJ 소자의 박막을 양호 박막으로 검증하고, 상기 기 설정된 지정값 이하인 경우, 상기 MTJ 소자의 박막을 불량 박막으로 검증하는 막질 검증 시스템
지정국 정보가 없습니다
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1 KR102076323 KR 대한민국 FAMILY
2 KR102159260 KR 대한민국 FAMILY
3 WO2019194450 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교산학협력단 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 10nm급 STT-MRAM의 MTJ 신뢰성 모델링 및 신뢰성 불량에 강인한 회로 기술 연구