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기판;기판 상에 배치되는 제1도전형 반도체 베이스층;제1도전형 반도체 베이스층 상에 배치되고, 복수의 개구를 가지도록 패턴화된 절연층;복수의 개구에 의해 노출된 제1도전형 반도체 베이스층 영역으로부터 성장되고, 내부로부터 외부로 순차적으로 제1도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노와이어;나노와이어의 내부 중 제1도전형 반도체 코어 상에 및 활성층 상에 그리고 나노와이어의 표면 상에 각각 배치되는 그래핀 양자점 코팅층;제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되고, 나노와이어의 상면 및 측면을 덮으며, 인접하는 나노와이어 사이에서 서로 연결되도록 배치되는 투명전극층;나노와이어 및 투명전극층 상에 배치되고, 인접한 나노와이어 사이에 충진되며, 나노와이어 및 나노와이어 상의 투명전극층을 덮도록 배치되는 충진층;각각 제1도전형 반도체 베이스층 및 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록, 각각 발광소자의 일측에서 제1도전형 반도체 베이스층 및 투명전극층 상에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하고,그래핀 양자점의 평균 크기는 5 내지 50 nm 이하이되, 전체 그래핀 양자점 중 90% 이상의 양자점이 ±10% 이내의 편차 범위 내에서 동일한 입자크기를 가지며,그래핀 양자점 코팅층 중 양자점 농도는 1,000 내지 90,000 ㎡/g 또는 0
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제1도전형 반도체 베이스층을 형성하는 단계;제1도전형 반도체 베이스층 상에, 내부로부터 외부로 순차적으로 제1도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노와이어를 형성하는 단계; 및나노와이어의 내부 중 제1도전형 반도체 코어 상에 및 활성층 상에, 그리고 나노와이어의 표면 상에 각각 그래핀 양자점 코팅층을 형성하는 단계를 포함하며,발광소자는 기판; 기판 상에 배치되는 제1도전형 반도체 베이스층; 제1도전형 반도체 베이스층 상에 배치되고, 복수의 개구를 가지도록 패턴화된 절연층; 복수의 개구에 의해 노출된 제1도전형 반도체 베이스층 영역으로부터 성장되고, 내부로부터 외부로 순차적으로 제1도전형 반도체 코어, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 복수의 나노와이어; 나노와이어의 내부 중 제1도전형 반도체 코어 상에 및 활성층 상에 그리고 나노와이어의 표면 상에 각각 배치되는 그래핀 양자점 코팅층; 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되고, 나노와이어의 상면 및 측면을 덮으며, 인접하는 나노와이어 사이에서 서로 연결되도록 배치되는 투명전극층; 나노와이어 및 투명전극층 상에 배치되고, 인접한 나노와이어 사이에 충진되며, 나노와이어 및 나노와이어 상의 투명전극층을 덮도록 배치되는 충진층; 각각 제1도전형 반도체 베이스층 및 제2도전형 반도체층과 전기적으로 연결되도록, 각각 발광소자의 일측에서 제1도전형 반도체 베이스층 및 투명전극층 상에 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하고,그래핀 양자점의 평균 크기는 5 내지 50 nm 이하이되, 전체 그래핀 양자점 중 90% 이상의 양자점이 ±10% 이내의 편차 범위 내에서 동일한 입자크기를 가지며,그래핀 양자점 코팅층 중 양자점 농도는 1,000 내지 90,000 ㎡/g 또는 0
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제8항에 있어서,그래핀 양자점 코팅층은 스프레이 코팅을 통해 형성하는 발광소자 제조방법
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제8항에 있어서,그래핀 양자점 코팅층을 나노와이어 표면에 형성하는 경우, 나노와이어 형성 후에 그래핀 양자점 코팅층을 형성하는 발광소자 제조방법
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제8항에 있어서,그래핀 양자점 코팅층을 나노와이어 내부에 형성하는 경우, 나노와이어를 형성하는 과정에서 제1도전형 반도체 코어 형성 후 및 활성층 형성 후 각각 그래핀 양자점 코팅층을 형성하는 발광소자 제조방법
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제8항에 있어서,그래핀 양자점 코팅층을 형성하기 전에, 액체 속에 포함된 특정 크기의 그래핀 양자점을 걸러내기 위해, 분자량의 변화에 따라 물질 투과를 제어하는 맴브레인 필터링 공정을 수행하는 발광소자 제조방법
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제12항에 있어서,맴브레인 필터링 공정은 투석 공정인 발광소자 제조방법
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