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입력 스파이크 신호를 생성하는 축색돌기(axon);가중치에 따라 전류를 출력하는 제 1 트랜지스터 및 상기 제 1 트랜지스터와 연결되고 입력 스파이크 신호에 따라 상기 전류를 출력하는 제 2 트랜지스터를 포함하는 시냅스;상기 시냅스로부터 출력되는 상기 전류에 따른 값과 기준 값을 비교하고 그리고 비교 결과에 기초하여 출력 스파이크 신호를 생성하는 뉴런; 및상기 시냅스가 형성되는 기판에 부착되고, 상기 시냅스로 방사선 입자들을 출력하고, 그리고 상기 시냅스의 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들의 문턱 전압들의 크기들을 증가시키는 방사선원을 포함하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 1 항에 있어서,상기 시냅스로부터 출력되는 상기 전류에 의해 충전되는 커패시터를 더 포함하고,상기 전류에 따른 상기 값은 상기 커패시터의 전압이고, 그리고상기 시냅스 회로의 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들 각각은 PMOS이고 N-well 영역에서 형성되는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 2 항에 있어서,상기 방사선 입자들에 의해 상기 기판과 상기 N-well 영역의 접합 영역에 전자-정공 쌍들이 생성되고 상기 전자-정공 쌍들의 정공들은 상기 N-well 영역에 위치하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 3 항에 있어서,상기 N-well 영역은 N-type 확산 영역, 옴 컨택(ohmic contact), 및 상기 옴 컨택과 연결된 저항을 통해 제 1 전원 전압과 연결되고 상기 N-well 영역의 전압은 상기 저항에 의해 상기 제 1 전원 전압보다 높은 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 3 항에 있어서,상기 N-well 영역은 N-type 확산 영역 및 옴 컨택을 통해 제 1 전원 전압과 연결되고,상기 방사선원은 평면적 관점에서 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들과 오버래핑되고 평면적 관점에서 상기 N-type 확산 영역과 오버래핑되지 않고,상기 N-well 영역의 전압은, 평면적 관점에서 상기 N-type 확산 영역과 오버래핑되는 상기 N-well 영역 중 오버래핑 영역의 저항에 의해, 상기 제 1 전원 전압보다 높은 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 1 항에 있어서,상기 시냅스로부터 출력되는 상기 전류에 의해 방전되는 커패시터를 더 포함하고,상기 전류에 따른 상기 값은 상기 커패시터의 전압이고, 그리고상기 시냅스 회로의 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들 각각은 NMOS이고 P-well 영역에서 형성되는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 6 항에 있어서,상기 방사선 입자들에 의해 상기 P-well 영역을 감싸는 N-well 영역과 상기 P-well 영역의 접합 영역에 전자-정공 쌍들이 생성되고 상기 전자-정공 쌍들의 전자들은 상기 P-well 영역에 위치하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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8
제 7 항에 있어서,상기 P-well 영역은 P-type 확산 영역, 옴 컨택 및 상기 옴 컨택과 연결된 저항을 통해 제 2 전원 전압과 연결되고 상기 P-well 영역의 전압은 상기 저항에 의해 상기 제 2 전원 전압보다 낮은 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 7 항에 있어서,상기 P-well 영역은 P-type 확산 영역 및 옴 컨택을 통해 제 2 전원 전압과 연결되고,상기 방사선원은 평면적 관점에서 상기 제 1 및 제 2 트랜지스터들과 오버래핑되고 평면적 관점에서 상기 옴 컨택과 오버래핑되지 않고,상기 P-well 영역의 전압은, 평면적 관점에서 상기 P-type 확산 영역과 오버래핑되는 상기 P-well 영역 중 오버래핑 영역의 저항에 의해, 상기 제 2 전원 전압보다 낮은 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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10
제 1 항에 있어서,상기 가중치는 상기 축색돌기와 상기 뉴런간의 상관 관계를 나타내는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 1 항에 있어서,상기 방사선원은 평면적 관점에서 상기 시냅스와 오버래핑되고, 상기 축색돌기 및 상기 뉴런과 오버래핑되지 않는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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12
복수의 입력 스파이크 신호들을 생성하는 축색돌기 회로;상기 복수의 입력 스파이크 신호들에 따라 복수의 가중치들을 출력하는 트랜지스터들을 포함하는 시냅스 회로;상기 시냅스 회로로부터 출력되는 상기 가중치들에 의해 결정되는 값과 기준 값을 비교하고 그리고 비교 결과에 기초하여 출력 스파이크 신호들을 생성하는 뉴런 회로; 및상기 시냅스 회로가 형성되는 기판에 부착되고, 상기 시냅스 회로로 방사선 입자를 출력하고, 그리고 상기 시냅스 회로의 상기 트랜지스터들의 문턱 전압들의 크기들을 증가시키는 방사선원을 포함하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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13
제 12 항에 있어서,상기 시냅스 회로의 상기 트랜지스터들은 상기 복수의 입력 스파이크 신호들에 따라 턴 온되고 그리고 상기 가중치들에 대응하는 전류들을 출력하고,상기 시냅스 회로의 상기 트랜지스터들은 상기 복수의 입력 스파이크 신호들에 따라 턴 오프되는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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14
제 13 항에 있어서,상기 가중치에 대응하는 상기 전류들에 의해 충전되거나 방전되는 커패시터를 더 포함하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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제 12 항에 있어서,상기 시냅스 회로는 상기 기판의 제 1 면에 형성되고,상기 방사선원은 상기 기판의 상기 제 1 면과 마주보는 제 2 면에 부착되고 그리고 상기 시냅스 회로와 평면적 관점에서 오버래핑되고, 그리고상기 방사선원은 상기 제 2 면에서 상기 제 1 면으로 향하는 방향으로 상기 방사선 입자들을 출력하는 스파이크 뉴럴 네트워크 회로
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