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제1 전극층; 상기 제1 전극층 상부에 배치된 제2 전극층;상기 제1 전극층과 상기 제2 전극층 사이에 배치되고, 상기 제1 전극층으로부터 주입된 정공 및 상기 제2 전극층으로부터 주입된 전자를 이용하여 광을 발생시키는 발광층;상기 제2 전극층과 상기 발광층 사이에 배치되고, 상기 전자를 상기 발광층으로 수송하는 전자 수송층; 및상기 제1 전극층과 상기 발광층 사이에 배치되고 산화제 물질을 포함하는 하부막 및 상기 하부막과 상기 발광층 사이에 배치되고 상기 산화제 물질의 촉매 작용으로 산화 가교되고 상기 정공을 상기 발광층으로 수송하는 정공 수송 중합체 물질을 포함하는 상부막을 구비하는 정공 수송층을 포함하는 유기 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 하부막은 상기 상부막과 접하고, 상기 상부막은 상기 발광층과 접하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치
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제1항에 있어서, 상기 정공 수송 중합체 물질은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 화학 구조를 갖는 화합물 또는 이의 가교 중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치:[화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1에서, m은 1 이상 6 이하의 정수이고, R1 내지 R8은 서로 독립적으로 수소, 중수소, 탄소수 1 내지 60의 알킬기, 탄소수 2 내지 60의 알케닐기, 탄소수 2 내지 60의 알키닐기, 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 60의 알콕시기, 탄소수 6 내지 60의 아릴옥시기, 탄소수 7 내지 60의 아릴알킬기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 60의 아릴실릴기 및 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 그룹에선 선택된 하나를 포함하고,상기 화학식 2에서, n은 1 이상 4 이하의 정수이고, Ar1 내지 Ar2 는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴기이며, Ar1 내지 Ar2 중 어느 하나가 치환기와 결합하여 포화 또는 불포화 고리기를 형성하고, 상기 화학식 1 및 2에 있어서, Ra는 하기 화학식 3-1 내지 3-16의 화학 구조를 갖는 작용기들로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하며, 화학식 3-1에서 n은 100 이상 8000 이하의 정수이다
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제3항에 있어서, 상기 상부막은 10nm 이상 30nm 이하의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치
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제3항에 있어서, 상기 산화제 물질은 인몰리브덴산 수화물(phosphomolybdic acid hydrate, PMA), 과요오드산(Periodic acid), 몰리브덴산(Molybdic acid), 9-아자비사이클로[3
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제1 전극층 상부에 산화제 물질을 함유하는 하부막을 형성하는 단계; 상기 하부막 상에 산화 가교성 정공 수송 물질을 함유하는 용액을 도포하여 상부막을 형성하는 단계;상기 산화제 물질을 이용하여 상기 정공 수송 물질을 가교시키는 단계; 및상기 상부막 상부에 발광층, 전자 수송층 및 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 장치의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 하부막을 형성하는 단계는,상기 산화제 물질이 용해된 제1 용액을 상기 제1 전극층 상부 스핀코팅하는 단계; 및상기 제1 용액의 스핀코팅으로 형성된 박막을 90 내지 120℃의 온도에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 산화제 물질은 인몰리브덴산 수화물(phosphomolybdic acid hydrate, PMA), 과요오드산(Periodic acid), 몰리브덴산(Molybdic acid), 9-아자비사이클로[3
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제6항에 있어서, 상기 상부막은 하기 화학식 1 또는 화학식 2의 화학 구조를 갖는 카바졸 화합물이 용해된 제2 용액을 상기 하부막 위에 도포함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조방법: [화학식 1] [화학식 2] 상기 화학식 1에서, m은 1 이상 6 이하의 정수이고, R1 내지 R8은 서로 독립적으로 수소, 중수소, 탄소수 1 내지 60의 알킬기, 탄소수 2 내지 60의 알케닐기, 탄소수 2 내지 60의 알키닐기, 탄소수 6 내지 60의 아릴기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴기, 탄소수 1 내지 60의 알콕시기, 탄소수 6 내지 60의 아릴옥시기, 탄소수 7 내지 60의 아릴알킬기, 탄소수 3 내지 60의 헤테로아릴알킬기, 탄소수 3 내지 60의 시클로알킬기, 탄소수 1 내지 60의 헤테로시클로알킬기, 탄소수 3 내지 60의 알킬실릴기, 탄소수 3 내지 60의 아릴실릴기 및 탄소수 1 내지 60의 헤테로아릴실릴기로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하고, 상기 화학식 1-2에서, n은 1 이상 4 이하의 정수 이며, Ar1 내지 Ar2 는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴기, 또는 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 50의 헤테로아릴기이며, Ar1 내지 Ar2 중 어느 하나가 치환기와 결합하여 포화 또는 불포화 고리기를 형성하고, Ra는 하기 화학식 3-1 내지 3-16의 화학 구조를 갖는 작용기들로 이루어진 그룹에서 선택된 하나를 포함하며, 화학식 3-1에서 n은 100 이상 8000 이하의 정수이다
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제9항에 있어서, 상기 제2 용액은 스핀코팅의 방법으로 상기 하부막 위에 도포되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 정공 수송 물질을 가교시키는 단계에서는 상기 산화제 물질이 촉매로 작용하여 상기 카바졸 화합물들이 산화 가교되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 장치의 제조방법
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