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자유 층, 고정 층, 및 이들 사이의 터널 배리어 층을 포함하는 자기 터널 접합, 및 상기 자유 층에 인접하는 제1 도전 라인을 포함하는 자기 메모리 소자에 있어서,시간이 흐름에 따라 감소하는 주파수를 갖는 제1 스핀 궤도 전류를 상기 제1 도전 라인에 인가하는 것을 포함하는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 자기 터널 접합은 상기 제1 도전 라인의 일 면 상에 배치되고,상기 자유 층은 상기 터널 배리어 층과 상기 제1 도전 라인의 상기 일 면 사이에 개재되는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 스핀 궤도 전류로 인해 상기 자유 층의 자기 모멘트에 스핀 궤도 토크가 가해지는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 스핀 궤도 전류는 인가되기 시작할 때의 초기 주파수를 가지고,상기 자유 층의 자기 모멘트는 상기 제1 스핀 궤도 전류가 인가되기 시작할 때의 초기 고유 주파수를 가지되,상기 제1 스핀 궤도 전류의 상기 초기 주파수는 상기 초기 고유 주파수보다 크거나 상기 초기 고유 주파수와 같은 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 제1 스핀 궤도 전류가 인가되는 동안에, 상기 제1 스핀 궤도 전류의 상기 주파수와 상기 자유 층의 자기 모멘트의 고유 주파수가 일치하는 공명이 적어도 두 번 이상 발생하는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제5 항에 있어서,상기 적어도 두 번 이상의 공명들 사이에서, 상기 제1 스핀 궤도 전류의 상기 주파수는 상기 자유 층의 상기 자기 모멘트의 상기 고유 주파수보다 큰 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 자기 터널 접합을 통과하는 스핀 전달 전류를 인가하는 것을 더 포함하는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제7 항에 있어서,상기 스핀 전달 전류는 상기 제1 스핀 궤도 전류가 인가된 후에 인가되는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제1 항에 있어서,상기 자기 메모리 소자는 상기 제1 도전 라인에 교차하는 제2 도전 라인을 더 포함하고,시간이 흐름에 따라 감소하는 주파수를 갖는 제2 스핀 궤도 전류를 상기 제2 도전 라인에 인가하는 것을 더 포함하는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제9 항에 있어서,상기 자기 터널 접합은 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인의 교차점 상에 배치되는 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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제9 항에 있어서,상기 제1 스핀 궤도 전류의 상기 주파수와 상기 제2 스핀 궤도 전류의 상기 주파수는 서로 동일한 자기 메모리 소자의 쓰기 방법
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고정 층, 자유 층, 및 이들 사이의 터널 배리어 층을 포함하는 자기 터널 접합; 및상기 자유 층에 인접하는 제1 도전 라인을 포함하되,상기 제1 도전 라인은 시간이 지남에 따라 주파수가 감소하는 제1 스핀 궤도 전류가 흐르도록 구성되는 자기 메모리 소자
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제12 항에 있어서,상기 제1 도전 라인은 상기 제1 스핀 궤도 전류를 통해 상기 제1 자유 층의 자기 모멘트에 스핀 궤도 토크를 가하도록 구성되는 자기 메모리 소자
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제13 항에 있어서,상기 자유 층의 상기 자기 모멘트는 적어도 상기 스핀 궤도 토크를 이용하여 스위치 되도록 구성되는 자기 메모리 소자
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제14 항에 있어서,상기 자유 층의 상기 자기 모멘트는 상기 자기 터널 접합을 통과하는 스핀 전달 전류에 의한 스핀 전달 토크를 더 이용하여 스위치 되도록 구성되는 자기 메모리 소자
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제12 항에 있어서,상기 자유 층은 상기 터널 배리어 층과 상기 제1 도전 라인의 상기 일 면 상에 개재되는 자기 메모리 소자
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제12 항에 있어서,상기 제1 도전 라인은 Cu, Ta, Pt, W, Gd, Bi, 및 Ir 중에서 적어도 하나를 포함하는 자기 메모리 소자
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제12 항에 있어서,상기 제1 도전 라인에 교차하는 제2 도전 라인을 더 포함하되,상기 제2 도전 라인은 시간이 지남에 따라 주파수가 감소하는 제2 스핀 궤도 전류가 흐르도록 구성되는 자기 메모리 소자
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제18 항에 있어서,상기 자기 터널 접합은 상기 제1 도전 라인과 상기 제2 도전 라인의 교차점 상에 배치되는 자기 메모리 소자
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제18 항에 있어서,상기 제1 스핀 궤도 전류의 상기 주파수와 상기 제2 스핀 궤도 전류의 상기 주파수는 서로 동일한 자기 메모리 소자
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