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수직자기이방성을 갖는 다층 박막

  • 기술번호 : KST2019023437
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 수직자기이방성 다층박막의 제조 방법은, 진공 챔버 내에서 CoFeSiB 타겟와 Pd 타겟을 교대로 스퍼터링하여 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 상에 [CoFeSiB/Pd] 다층박막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 적층 횟수(n)는 3 이상일 수 있다.
Int. CL H01L 43/12 (2006.01.01) H01L 43/10 (2006.01.01) H01L 43/08 (2006.01.01)
CPC H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01) H01L 43/12(2013.01)
출원번호/일자 1020160170114 (2016.12.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1738829-0000 (2017.05.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170522) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.12.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영근 대한민국 서울특별시 강남구
2 김용진 대한민국 충청북도 청주시 청원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-1224673-73
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1245818-33
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2016.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2016.12.26 수리 (Accepted) 9-1-2016-0053512-05
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0150869-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.04.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0343620-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2017-0343621-23
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0328889-91
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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진공 챔버 내에서 CoFeSiB 타겟와 Pd 타겟을 교대로 스퍼터링하여 상기 진공 챔버 내에 배치된 기판 상에 [CoFeSiB/Pd] 다층박막을 형성하는 단계;상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막을 형성하기 전에 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층을 형성하기 전에 시드층을 형성하는 단계;을 포함하고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 적층 횟수(n)는 3 이상이고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막은 상기 CoFeSiB 타겟과 상기 Pd 타겟을 이용하여 DC 스퍼터링 방법에 형성되고,상기 버퍼층은 Pd이고 3nm이상의 두께를 가지고, 상기 시드층은 Ta이고,상기 CoFeSiB 타겟의 조성비는 CoxFeySi15B10 (atomic %)이고, 70
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제1 항에 있어서,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막을 형성한 후에 캐핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB/Pd 다층박막의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막은 아르곤 분위기 하에서 1 mTorr 내지 10 mTorr의 분위기 하에서 증착되는 것을 특징으로 하는 수직자기이방성을 갖는 CoFeSiB/Pd 다층박막의 제조 방법
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기판 상에 형성된 [CoFeSiB/Pd] 다층박막;상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 하부에 배치된 버퍼층; 및상기 버퍼층 하부에 배치된 시드층을 포함하고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 적층 횟수(n)는 3 이상이고
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자화 방향이 스위칭되는 자유층과 자화 방향이 고정된 고정층 사이에 개재된 터널절연층을 포함하는 자기터널접합 소자에 있어서,상기 고정층은:시드층;상기 시드층 상에 형성된 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 형성된 제1 고정층을 포함하고, 상기 제1 고정층은 [CoFeSiB/Pd] 다층박막을 포함하고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 적층 횟수(n)는 3 이상이고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 각형비는 90% 이상이고,상기 [CoFeSiB/Pd] 다층박막의 포화 자화는 200 emu/cm3 이상이고,자기이방성 에너지는 1
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제24항 에 있어서,상기 고정층은 상기 제1 고정층 상에 배치된 비자성 금속층 및 상기 비자성 금속층 상에 배치된 제2 고정층을 더 포함하고,상기 제2 고정층은 수직자기이방성을 가진 CoFeB 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기터널접합 소자
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1 JP06375414 JP 일본 FAMILY
2 JP30098482 JP 일본 FAMILY
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2018098482 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP6375414 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JP6375414 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US2018166627 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 고려대학교 산학협력단 미래소재디스커버리사업 설계기반 Spin-Orbitronics 소재 개발